Minimalna grubość matrycy: 50 µm (cieńsze po uzgodnieniu) Sorter matryc o ekstremalnie cienkiej konstrukcji MDND-120UT Parametry projektu Nazwa urządzenia MDND-120UT wielofunkcyjny bonder matryc Model urządzenia MDND-120UT Dokładność/kąt bonowania ±20 µm, ...
Podstawowa teoria działania maszyny pełnego automatycznego połączenia drutem kulistym w półprzewodnikach
Produkcja półprzewodników / Grawerowanie plazmowe / Grawerowanie reaktywnymi jonami
Eutektyczny odnosi się do zjawiska eutektycznego topnienia w spoiwie eutektycznym przy stosunkowo niskich temperaturach. Stopy eutektyczne bezpośrednio przechodzą z stanu stałego w ciekły bez przechodzenia przez etap plastyczny, a ich przewodnictwo cieplne, opór, siła tarcia, niezawodność itp. ...
Projekt IC, znany również jako projekt obwodu zintegrowanego, ma wysoką precyzję w technologii procesu nano. Im wyższa dokładność, tym bardziej zaawansowany proces produkcyjny. Gdy do procesora integruje się więcej tranzystorów, chip może osiągnąć...
Wydrabianie materiałów niskowymiarowych odnosi się do procesu wydrabiania materiałów dwuwymiarowych (takich jak grafen, disulfek molibdenu itp.) i jednowymiarowych (takich jak nanopręty, nanotruby itp.). Celem wydrabiania materiałów niskowymiarowych jest...
Zastosowanie plazmy próżniowej i mikrofalowej: przemysł półprzewodnikowy Przemysł samochodowy Przemysł telefonów komórkowych Moduł kamery PCB LED FPC Przemysł materiałów Przemysł metalowy Ceramiczny przemysł
Półprzewodnikowy chłodnik termoelektryczny TEC / maszyna do łączenia czipów chłodnika termoelektrycznego TEC
Klient z Brazylii, który produkuje obudowy do ekranów wyświetlaczy, podczas fazie badań i rozwoju stwierdził, że ich produkty po aplikacji kleju zaczynały się łuszczyć. Po konsultacji z inżynierami MH, dostarczyliśmy dla nich indywidualne rozwiązanie techniczne: wtrysk bezpośredni p...
Guangzhou Minder-Hightech Co.,Ltd.
Copyright © Guangzhou Minder-Hightech Co.,Ltd. Wszelkie prawa zastrzeżone
EN
AR
BG
CS
DA
NL
FI
FR
DE
EL
IT
KO
NO
PL
PT
RO
RU
ES
SV
TL
IW
ID
LT
SR
SL
UK
VI
ET
HU
TH
TR
FA
AF
MS
GA
IS
HY
AZ
KA
