O design de IC, também conhecido como design de circuito integrado, possui alta precisão na tecnologia de processo nano, e quanto maior a precisão, mais avançado é o processo de produção. Quando mais transistores são integrados no processador, o chip pode realizar mais funções, o que reduz diretamente o custo de produção do processador. No entanto, à medida que os nós de processo nos circuitos integrados ficam menores, a medição da dimensão crítica também enfrenta enormes desafios. É extremamente importante medir e analisar informações geométricas, como o período da nanoestrutura, largura de linha, altura de linha, ângulo da parede lateral e rugosidade.
Solução:
Ao utilizar a medição de elipsometria da matriz de Mueller, foram obtidas 16 conjuntos de informações de polarização, e foram calculados parâmetros de elipsometria mais precisos (PSI: razão de amplitude, △: diferença de fase). Centenas de modelos ópticos embutidos foram utilizados para ajuste, e então informações geométricas, como período da nanoestrutura, largura da linha, altura da linha, ângulo da parede lateral e rugosidade, foram medidas e analisadas.
Estabelecer modelo óptico
Informação do elemento de polarização
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