IC-Design, auch bekannt als integrierter Schaltkreisdesign, verfügt bei Nanoprozess-Technologie über hohe Präzision und je höher die Genauigkeit ist, desto weiterentwickelt ist der Produktionsprozess. Wenn mehr Transistoren in den Prozessor integriert werden, kann die Chip mehr Funktionen ausführen, was direkt die Produktionskosten des Prozessors senkt. Doch während die Prozessknoten in integrierten Schaltkreisen kleiner werden, steht auch die kritische Dimension-Messung vor enormen Herausforderungen. Es ist äußerst wichtig, geometrische Forminformationen wie Perioden von Nanostrukturen, Linienbreite, Linienhöhe, Seitenwandwinkel und Rauheit zu messen und zu analysieren.
Lösung:
Durch die Verwendung der Muller-Matrix-Ellipsometrie-Messung wurden 16 Sätze an Polarisationsinformationen erhalten, und es wurden genauere Ellipsometrieparameter (PSI: Amplitudenverhältnis, △: Phasendifferenz) ermittelt. Hunderte integrierter optischer Modelle wurden für die Anpassung verwendet, und anschließend wurden geometrische Forminformationen wie Nanstrukturenperiode, Linienbreite, Linienhöhe, Seitenwandwinkel und Rauheit gemessen und analysiert.
Optisches Modell erstellen
Polarisationselementinformationen
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