Gravur: Eines der 3 Kerngeräte in der Halbleiterfertigung

Etzprozess: Ein Schlüsselverfahren für die Halbleiterstrukturierung, dessen Bedeutung hervorgehoben wird.

Der Etzprozess ist das Kernverfahren der Halbleiterstrukturierung und der Etcher gilt als eine der drei Kernanlagen in der Halbleiterfertigung. Etzanlagen werden hauptsächlich verwendet, um Materialien in bestimmten Bereichen zu entfernen, um winzige Strukturmustern zu bilden. Zusammen mit Photolithografie und Dünnfilmdeposition zählt sie zu den drei Kernanlagen der Halbleiterfertigung, wobei ihre Wichtigkeit herausragend und ihre Stellung entscheidend ist.

Etzanlage: Trocknetzen ist die Hauptmethode, wobei ICP und CCP gleichmäßig aufgeteilt sind.

Das Etsen kann in feuchtes Etsen und trockenes Etsen unterteilt werden. Das feuchte Etsen hat eine geringe Anisotropie, und die Seitenwand ist anfällig für laterales Etsen, was zu Etsabweichungen führt. Es wird normalerweise für Anwendungen mit größeren Prozessabmessungen verwendet. Das trockene Etsen ist die derzeitige Hauptstrom-Etchtechnologie, wobei Plasma-Trocken-Etsen am weitesten verbreitet ist.

Je nach Erzeugungsverfahren von Plasmen wird das Plasma-Etsen in zwei Kategorien unterteilt: ICP (induktives Plasma-Etsen) und CCP (kapazitives Plasma-Etsen). ICP wird hauptsächlich für Silizium-, Metall- und einige Dielektrikumsetze verwendet, während CCP hauptsächlich für Dielektrikumsetze eingesetzt wird. Laut Gartner-Daten wird es 2022 im globalen Etch-Ausrüstungsmarkt Marktanteile von 47,9 % für ICP und 47,5 % für CCP geben, was insgesamt einen Marktanteil von 95,4 % ergibt und somit den Hauptstrom der Etch-Ausrüstung darstellt.

Trend: Atomare Schichtetzen (ALE)

Herkömmliche Plasmabearbeitungsgeräte stehen vor einer Reihe von Herausforderungen, wie Bearbeitungsschäden, Lasteffekt und Steuerungsgenauigkeit, während atomare Schichtbearbeitung (ALE) präzise Bearbeitung auf der Ebene einzelner Atome erreichen kann und eine effektive Lösung darstellt. ALE kann als ein Spiegelprozess des ALD angesehen werden. Sein Prinzip ist: 1) Einführen des Bindungsgases in die Bearbeitungskammer und Adsorbieren dessen auf der Materialoberfläche, um eine Bindungsschicht zu bilden. Dies ist ein Modifikationsschritt und hat selbststoppende Eigenschaften; 2) Entfernen des überschüssigen Bindungsgases aus der Kammer, Einführen von Bearbeitungsgas, um die Bearbeitungsfläche zu bombardieren, die atomare Bindungsschicht zu entfernen und die unmodifizierte Oberfläche freizulegen. Dies ist ein Bearbeitungsschritt und hat ebenfalls selbststoppende Eigenschaften. Nachdem die oben genannten Schritte abgeschlossen sind, kann die einzelne atomare Schicht auf der Oberfläche genau entfernt werden.

Die Vorteile der Atomarschichtdeposition (ALE) umfassen: 1) Richtungsbasiertes Ätzen kann erreicht werden; 2) Gleichmäßiges Ätzen kann auch bei unterschiedlichen Aspektverhältnissen erreicht werden.

Ätzgerät: eines der drei Kerngeräte, mit erheblicher Markgröße.

Als eines der drei Hauptgeräte in der Halbleiterherstellung hat das Ätzgerät einen hohen Wert und eine erhebliche Markgröße. Laut Gartner-Daten machte das Ätzgerät im Jahr 2022 22 % des Werts von Halbleiter-Front-End-Geräten aus, was nur hinter Dünnfilmdepositionsgeräten rangiert; hinsichtlich der Markgröße ergaben Daten von Mordor Intelligence, dass der globale Markt für Halbleiter-Ätzgeräte im Jahr 2024 auf erwartete US$ 23,80 Milliarden anwachsen soll und bis 2029 auf US$ 34,32 Milliarden wachsen soll, mit einem jährlichen Wachstumsrate (CAGR) von etwa 7,6 % in dieser Zeit, wobei eine erhebliche Markgröße und ein schneller Wachstumsrate vorliegen.