El diseño de IC, también conocido como diseño de circuitos integrados, tiene una alta precisión en la tecnología de proceso nanométrico, y cuanto mayor sea la precisión, más avanzado será el proceso de producción. Cuando se integran más transistores en el procesador, el chip puede realizar más funciones, lo que reduce directamente el costo de producción del procesador. Pero a medida que los nodos de proceso en los circuitos integrados se vuelven más pequeños, la medición de la dimensión crítica también enfrenta enormes desafíos. Es extremadamente importante medir y analizar información geométrica como el período de nanoestructuras, el ancho de línea, la altura de línea, el ángulo de las paredes laterales y la rugosidad.
Solución:
Mediante la medición de elipsometría con matriz Mueller, se obtuvieron 16 conjuntos de información de polarización, y se calcularon parámetros de elipsometría más precisos (PSI: relación de amplitud, △: diferencia de fase). Se utilizaron cientos de modelos ópticos incorporados para ajustar, y luego se midieron y analizaron información geométrica como el período de nanoestructuras, el ancho de línea, la altura de línea, el ángulo de la pared lateral y la rugosidad.
Establecer modelo óptico
Información de elementos de polarización
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