Grabado: Uno de los 3 equipos principales en la fabricación de semiconductores

Grabado: Un proceso clave para el patrón de semiconductor, se destaca su importancia.

El grabado es el proceso central de la formación de patrones en los semiconductores, y el equipo de grabado se considera uno de los tres dispositivos principales en la fabricación de semiconductores. El equipo de grabado se utiliza principalmente para eliminar materiales en áreas específicas con el fin de formar patrones estructurales minúsculos. Es conocido como uno de los tres dispositivos principales en la fabricación de semiconductores, junto con la litografía y la deposición de películas delgadas, destacando su importancia y crucial posición.

Equipo de grabado: El grabado seco es el método principal, con ICP y CCP repartidos igualmente

El grabado puede dividirse en grabado húmedo y grabado seco. El grabado húmedo tiene una baja anisotropía, y las paredes laterales están propensas a ser erosionadas lateralmente, lo que provoca desviaciones en el grabado. Se utiliza comúnmente para aplicaciones con tamaños de proceso más grandes. El grabado seco es la tecnología de grabado predominante actualmente, entre la cual el grabado seco por plasma es el más ampliamente utilizado.

Según el método de generación de plasma, la etching de plasma se divide en dos categorías: ICP (etching de plasma inductivo) y CCP (etching de plasma capacitivo). El ICP se utiliza principalmente para la etching de silicio, metales y algunos dieléctricos, mientras que el CCP se utiliza principalmente para la etching de dieléctricos. Según los datos de Gartner, en 2022, en el mercado global de equipos de etching, el ICP y el CCP tendrán una cuota de mercado del 47.9% y 47.5%, respectivamente, con una cuota de mercado total del 95.4%, lo que representa la corriente principal de los equipos de etching.

Tendencia: Etching en Capa Atómica (ALE)

El equipo tradicional de etching plasma enfrenta una serie de desafíos, como el daño por etching, el efecto de carga y la precisión del control, mientras que el etching a nivel atómico (ALE) puede lograr un etching preciso a nivel individual de átomos y es una solución efectiva. El ALE se puede considerar como un proceso espejo del ALD. Su principio es: 1) Introducir el gas de enlace en la cámara de etching y adsorberlo en la superficie del material para formar una capa de enlace. Este es un paso de modificación y tiene propiedades autolimitantes; 2) Eliminar el exceso de gas de enlace en la cámara, introducir gas de etching para bombardear la superficie de etching, eliminar la capa de enlace a nivel atómico y exponer la superficie no modificada. Este es un paso de etching y también tiene propiedades autolimitantes. Después de completar los pasos anteriores, se puede eliminar con precisión la película de un solo átomo en la superficie.

Las ventajas de la deposición en capas atómicos (ALE) incluyen: 1) Se puede lograr un etchado direccional; 2) Se puede lograr una cantidad igual de etchado incluso si la relación de aspecto es diferente.

Equipo de etchado: uno de los tres equipos principales, con un tamaño de mercado considerable.

Como uno de los tres principales equipos en la fabricación de semiconductores, el equipo de etchado tiene un alto valor y un tamaño de mercado considerable. Según los datos de Gartner, en 2022, el equipo de etchado representó el 22% del valor del equipo para la fabricación de semiconductores de vanguardia, solo por detrás del equipo de deposición de películas delgadas; en cuanto al tamaño del mercado, según los datos de Mordor Intelligence, en 2024, se espera que el tamaño del mercado global de equipos de etchado de semiconductores sea de US$23.80 mil millones, y para 2029 se espera que crezca hasta US$34.32 mil millones, con una Tasa Anual Compuesta de Crecimiento (TACC) de aproximadamente el 7.6% durante ese período, con un tamaño de mercado considerable y una tasa de crecimiento rápida.