Ეტჩინგი: ერთ-სამიდან ძველი მოწყობილობა სემიკონდუქტორულ შერწყმის განufacturing-ში

Ეტჩინგი: განსაკუთრებით მნიშვნელოვანი პროცესი სემიკონდუქტორული მოდელის შექმნისთვის, მისი მნიშვნელობა გამოჩნდა.

Ეტჩინგი არის ძირითადი პროცესი სემიკონდუქტორული შემსახურების მორგანებისას, ხოლო ეტჩერი იყენება როგორც ერთ-ერთი სამიდან ძირითად მოწყობილობა სემიკონდუქტორული წარმოებაში. ეტჩინგის მოწყობილობები ძირითადად გამოიყენება მასალის ამოღებისთვის მოცემულ ზონებში, რათა შექმნას მცირე სტრუქტურული მორგები. ის იცავს როგორც ფოტოლითოგრაფიას, ასევე მარცვალი ფილმის დეპოზიციისთვის სამიდან ძირითად მოწყობილობას სემიკონდუქტორულ წარმოებაში, რომლის მნიშვნელობაც არის გამართლებული და მისი პოზიცია განსაკუთრებით მნიშვნელოვანი.

Ეტჩინგის მოწყობილობა: მთელი ეტჩინგი არის ძირითადი მეთოდი, ICP და CCP-ს თანაბაზრობა

Ეტჩინგი შეიძლება გაყოს მოჭრაზე და მთელ ეტჩინგზე. მოჭრა მართლური ანიზოტროპიას ჰქვს, და მხარეები მართლურად ეტჩინგის მიერ არის გამოწვეული, რაც მიიღება ეტჩინგის გადახრა. ის ჩვეულებრივ გამოიყენება უფრო დიდი პროცესური ზომების გამოყენებისას. მთელი ეტჩინგი არის მიმდინარე ძირითადი ეტჩინგის ტექნოლოგია, სადაც პლაზმის მთელი ეტჩინგი ყველაზე მეტად გამოიყენება.

Პლაზმის გენერირების მეთოდის მითითებით, პლაზმური ჩაჭრვა გაყოფილია ორ კატეგორიად: ICP (ინდუქტიული პლაზმური ჩაჭრვა) და CCP (კაპაციტიული პლაზმური ჩაჭრვა). ICP-ს ძირითადად გამოიყენებენ სილიკონის, მეტალების და რამდენიმე დიელექტრიკის ჩაჭრვად, ხოლო CCP-ს ძირითადად დიელექტრიკის ჩაჭრვად. Gartner-ის მონაცემების მიხედვით, 2022 წელს გლობალურ ჩაჭრვის აპარატურის ბაზარზე, ICP-სა და CCP-ს ბაზარული შემოწმება იქნება 47.9%-ი და 47.5%-ი შესაბამისად, ჯამში 95.4%-ი, რაც წარმოადგენს ჩაჭრვის აპარატურის ძირითად მიმართულებას.

Ტრენდი: ატომური საფარი (ALE)

Ტრადიციული პლაზმოვანი ეტჩინგის მანქანები განთიან რიგით წინააღმდეგობას, როგორიცაა ეტჩინგის შავება, ტვირთის ეფექტი და კონტროლის ზუსტება, ხოლო ატომური საფეხურის ეტჩინგი (ALE) შეძლებს ზუსტ ეტჩინგს ერთ-ერთ ატომურ დონეზე და არის ეფექტური ამოხსნა. ALE-ს შეიძლება გამოიყენონ ALD-ის მირორების პროცესის როგორც. მისი პრინციპია: 1) ბანდინგის გაზის შესაბამისი შემოღება ეტჩინგის ჩემბერში და მასის ზედაპირე აბსორბცია ბანდინგის საფეხურის ფორმირებისთვის. ეს არის ცვლილების ნაბიჯი და მას აქვს თვით-გაჩერების თვისებები; 2) ჩემბერში მოთავსებული მეტი ბანდინგის გაზის ამოღება, ეტჩინგის გაზის შემოღება ეტჩინგის ზედაპირეზე და ატომურ დონეზე ბანდინგის საფეხურის ამოღება, რათა გამოხატოს ცვლილების გარეშე ზედაპირე. ეს არის ეტჩინგის ნაბიჯი და ასევე მას აქვს თვით-გაჩერების თვისებები. ასეთი ნაბიჯების შემდეგ, ზედაპირეზე ერთ-ერთ ატომური ფილმი ზუსტად შეიძლება ამოიღოს.

Ატომული სვრების (ALE) პროცედურის მერიტები 娷: 1) შეგვიძლია განხილოთ მიმართული გამოჭრვა; 2) თუ ასპექტის გარეშე განსხვავებაა, შეგვიძლია განაპირობოთ ტოლი რაოდენობის გამოჭრვა.

Გამოჭრვის მართივე: ერთ-სამი ბაზის მართივე, რომელიც მაღალი ბაზარის ზომის მქონეა.

Როგორც ერთ-სამი ძირითადი მართივე სემიკონდუქტორული წარმოებაში, გამოჭრვის მართივე მაღალი ღირებულების მქონეა და მაღალი ბაზარის ზომის მქონეა. Gartner-ის მონაცემების მიხედვით, 2022 წელს, გამოჭრვის მართივე წარმოება შედგა 22% სემიკონდუქტორული წინა მართივის ღირებულებისგან, რაც მეორე ადგილზეა მხოლოდ ფილმის გადაყვანის მართივეს შემდეგ; ბაზარის ზომის მიხედვით, Mordor Intelligence-ის მონაცემების მიხედვით, 2024 წელს, სემიკონდუქტორული გამოჭრვის მართივის ბაზარის ზომა შევარჩიებულია US$23.80 მილიარდად, და 2029 წელამდე შევარჩიებულია US$34.32 მილიარდად, CAGR-ით 7.6%-ით პერიოდში, რაც მაღალი ბაზარის ზომა და სწრაფი ზრდაა.