La progettazione di IC, nota anche come progettazione di circuiti integrati, ha una precisione elevata nella tecnologia nano processuale, e quanto più alta è la precisione, tanto più avanzato è il processo produttivo. Quando vengono integrati più transistor nel processore, il chip può realizzare più funzioni, riducendo direttamente il costo di produzione del processore. Tuttavia, man mano che i nodi di processo nei circuiti integrati diventano più piccoli, le misure delle dimensioni critiche si confrontano con enormi sfide. È estremamente importante misurare e analizzare informazioni sulla morfologia geometrica, come periodo della nanostruttura, larghezza della linea, altezza della linea, angolo del muro laterale e ruvidezza.
Soluzione:
Utilizzando la misura di ellissometria con matrice Mueller, sono state ottenute 16 serie di informazioni di polarizzazione, e sono stati ricavati parametri di ellissometria più precisi (PSI: rapporto di ampiezza, △: differenza di fase). Sono stati utilizzati centinaia di modelli ottici incorporati per l'adattamento, e successivamente sono state misurate e analizzate informazioni sulla morfologia geometrica come periodo della nanostruttura, larghezza della linea, altezza della linea, angolo del fianco laterale e ruvidezza.
Stabilire il modello ottico
Informazioni sull'elemento di polarizzazione
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