Máy tẩy lớp quang trở trên đĩa bán dẫn kiểu mẻ MD-2300 đã hoàn tất lắp đặt và vận hành thử nghiệm tại châu Âu.

Tổng quan dự án:

Hệ thống tẩy keo quang hóa bằng plasma loại lô MD-2300 của Minder-Hightech đã được lắp đặt, chạy thử nghiệm và bàn giao thành công—kèm theo đào tạo vận hành—tại cơ sở của khách hàng tại châu Âu. Thiết bị này chủ yếu được thiết kế để thực hiện quá trình loại bỏ keo quang hóa và xử lý descum trên bề mặt đĩa wafer, cung cấp cho khách hàng khả năng xử lý plasma RF có thể kiểm soát được trong sản xuất bán dẫn và vi điện tử.

Phạm vi dự án bao gồm không chỉ việc cung cấp thiết bị làm sạch bằng plasma mà còn cả lắp đặt tại chỗ, kiểm tra, xác minh chức năng, đào tạo người vận hành và giới thiệu các nguyên lý quy trình cơ bản. Nhờ các dịch vụ tại chỗ này, đội ngũ vận hành của khách hàng đã hiểu rõ cấu trúc thiết bị, quy trình vận hành, cách cấu hình công thức (recipe) và các yêu cầu bảo trì định kỳ, từ đó tạo nền tảng cho việc xác thực quy trình và sản xuất hàng loạt sau này.

Yêu cầu của khách hàng:

Khách hàng yêu cầu một giải pháp để xử lý lớp quang trở và các dư lượng quy trình trên bề mặt đĩa wafer. Tùy theo giai đoạn sản xuất cụ thể, bề mặt wafer có thể được phủ toàn bộ bởi lớp quang trở hoặc chỉ còn lại những vết mỏng của lớp lót (primer) hoặc chất hữu cơ. Do đó, thiết bị phải hỗ trợ cả hai quy trình: loại bỏ/quang hóa khối lượng lớn lớp quang trở và xử lý bề mặt tinh vi hơn, ví dụ như quy trình descumming. Đối với các ứng dụng loại bỏ hoàn toàn lớp quang trở, hệ thống plasma phải có khả năng loại bỏ lớp quang trở mục tiêu trong khoảng thời gian hợp lý. Trong các quy trình descumming, trọng tâm chuyển sang việc loại bỏ các lớp dư lượng mỏng tại chân các cấu trúc họa tiết hoặc ở những khu vực cục bộ, đồng thời kiểm soát tác động tiêu cực do xử lý quá mức lên cấu trúc wafer và các bước sản xuất tiếp theo.

Hệ thống Plasma PR MD-2300: Giới thiệu, Cấu hình và Nguyên lý Xử lý ：

He thong cung cap kha nang dieu chinh cong suat RF, luong khi quy trinh, ap suat chan khong va thoi gian xu ly, giup tang tinh linh hoat de thiet ke cac quy trinh phu hop voi cac yeu cau khac nhau ve viec loai bo photoresist. Cac chuoi thao tac cuoi cung phai duoc toi uu hoa dua tren loai photoresist cu the, do day cua lop photoresist, cac quy trinh truoc do va cac tieu chi chap nhan do khach hang quy dinh.

He thong loai bo photoresist bang plasma tren wafer nay su dung cong nghe plasma RF tan so 13,56 MHz, voi khoang dieu chinh cong suat RF tu 0 den 1000 W. Oxy duoc su dung lam khi quy trinh chinh de dot photoresist va loai bo cac chat bam huu co, trong khi argon co the duoc su dung lam khi phu tro tuy theo yeu cau quy trinh.

Khi buồng đạt đến mức chân không mục tiêu, các khí quy trình được đưa vào buồng phản ứng thạch anh, nơi năng lượng tần số radio (RF) tạo ra plasma. Các loài phản ứng trong plasma oxy phản ứng với các thành phần hữu cơ của lớp quang trở để tạo ra các sản phẩm phụ dễ bay hơi, sau đó được loại bỏ qua hệ thống chân không, từ đó đạt được việc loại bỏ lớp quang trở khô và làm sạch bề mặt.

So với các phương pháp tẩy rửa ướt, việc loại bỏ lớp quang trở bằng plasma giúp giảm lượng hóa chất sử dụng và cho phép kiểm soát chính xác công suất, lưu lượng, áp suất và thời gian thông qua các thiết lập công thức (recipe). Tuy nhiên, bất kỳ quy trình loại bỏ nào cũng đều yêu cầu xác thực dựa trên các vật liệu cụ thể liên quan — đặc biệt khi xử lý lớp quang trở đã chịu cấy ion liều cao, các lớp quang trở dày hoặc các cấu trúc oản (wafer) nhạy cảm với nhiệt độ.

Lắp đặt và vận hành tại chỗ:

Khi thiet bi den dia diem cua khach hang o Chau Au, nhan vien ky thuat truoc tien kiem tra ben ngoai thiet bi, cac bo phan quan trong va tinh trang cua no sau khi van chuyen, sau do dat don vi theo yeu cau lap dat. Tiep theo, ho kiem tra cac ket noi nguon dien, khi quy trinh, khong khi nen, xả va cac dich vu co so khac.

Yeu cau nguon dien tham khao cho may tay plasma MD-2300 la AC 380 V, 50/60 Hz, 40 A. Dia diem cua khach hang cung phai cung cap oxy, argon, nitro va khong khi nen dat tieu chuan quy trinh. Do tinh khiet cua khi, ap suat, ket noi ong dan va dieu kien xả phai duoc xac nhan phu hop voi cau hinh thiet bi cuoi cung va cac dac tinh ky thuat ve dich vu co so.

Sau khi hoàn tất việc kết nối các hệ thống tiện ích, đội kỹ thuật đã kiểm tra một cách hệ thống hệ thống điều khiển, hệ thống chân không, đường ống khí quy trình, nguồn cấp điện RF, hệ thống phối hợp (matching system) và các chức năng bảo vệ an toàn. Khi trạng thái vận hành cơ bản của thiết bị được xác nhận là bình thường, quá trình kiểm tra không tải và xác minh chức năng đã được tiến hành.

Đào tạo tại hiện trường là thành phần then chốt trong quá trình giao máy ash plasma. Nội dung đào tạo bao gồm khởi động và tắt máy, vận hành tự động, vận hành thủ công, chỉnh sửa quy trình (recipe), xử lý lô (batch processing) và xử lý các tình huống bất thường.

Các vận hành viên đã học cách tạo các quy trình (recipe) dựa trên sản phẩm cụ thể và cấu hình các thông số chính, bao gồm:

- Lưu lượng khí oxy và khí argon;

- Công suất đầu ra RF;

- Áp suất làm việc trong buồng;

- Thời gian xử lý;

- Các bước tạo chân không và nạp khí;

- Trình tự xả khí sau khi kết thúc quy trình.

Buoi dao tao cung lam noi bat tinh quan trong cua viec quan ly cong thuc. Doi voi thiet bi loai bo photoresist tren ban wafer, mot bo thong so don le co the khong phu hop voi tat ca cac san pham. Cac yeu to nhu loai photoresist, do day, dieu kien nung, so luong wafer tren moi lan tai, va trang thai xu ly o cac cong doan truoc do deu co the anh huong den toc do loai bo thuc te va do dong deu.

Bang cach luu cac cong thuc quy trinh da duoc kiem chung, khach hang co the giam thieu su khac biet giua cac thao tac vien va nang cao tinh lap lai giua cac lo san xuat tiep theo. Truoc khi bat dau san xuat loat quy mo lon, nen thuc hien cac phep thu da lo bang cac ban wafer dai dien de kiem tra hieu nang loai bo, do dong deu va tinh on dinh cua quy trinh.