MD-2300, sistem de eliminare a fotoresistului pe bază de plasmă pentru wafere, tip lot — instalare și punere în funcțiune finalizate în Europa.

O imagine de ansamblu a proiectului:

Sistemul Minder-Hightech MD-2300 de eliminare a fotoresistului pe bază de plasmă, tip lot, pentru wafere, a fost instalat, pus în funcțiune și predat cu succes — inclusiv cu instruire operațională — la instalația clientului din Europa. Această echipament este conceput în principal pentru procesele de eliminare a fotoresistului și de descumare de pe suprafețele waferei, oferind clientului capacități controlabile de procesare prin plasmă RF în domeniul fabricării de componente semiconductoare și microelectronice.

Aria de aplicare a proiectului a cuprins nu doar livrarea echipamentului de curățare cu plasmă, ci și instalarea pe loc, inspecția, verificarea funcțională, instruirea operatorilor și o introducere în principiile fundamentale ale procesului. Prin aceste servicii oferite pe loc, operatorii clienților au dobândit o înțelegere a structurii echipamentului, a fluxului operațional, a configurării rețetelor și a cerințelor de întreținere rutinieră, punând astfel bazele pentru validarea ulterioară a procesului și pentru producția de masă.

Cerințele clientului:

Clientul necesită o soluție pentru tratarea rezistenței foto și a reziduurilor de proces de pe suprafețele wafere-lor. În funcție de stadiul specific de producție, suprafața wafer-ului poate prezenta un strat complet de rezistență foto sau doar urme subțiri de grund sau materie organică. Prin urmare, echipamentul trebuie să susțină atât arderea/eliminarea în masă a rezistenței foto, cât și procesele mai fine de tratament al suprafeței, cum ar fi descumming-ul. Pentru aplicațiile de eliminare completă a rezistenței foto, sistemul de plasmă trebuie să fie capabil să elimine stratul de rezistență țintă într-un interval de timp rezonabil. În cazul proceselor de descumming, accentul se mută către eliminarea straturilor reziduale subțiri de la baza structurilor de tip pattern sau în zone localizate, în același timp controlând impactul prelucrării excesive asupra structurilor wafer-ului și asupra etapelor ulterioare de fabricație.

Sistemul MD-2300 Plasma PR: Introducere, Configurație și Principii de Prelucrare ：

Sistemul oferă putere RF reglabilă, debite de gaz de proces reglabile, presiune de vid reglabilă și durate de procesare reglabile, asigurând flexibilitatea necesară pentru adaptarea proceselor la diversele cerințe de îndepărtare a fotorezistenței. Rețetele finale trebuie optimizate în funcție de tipul specific de fotorezistență, grosimea stratului de fotorezistență, procesele amonte și criteriile de acceptare utilizate de client.

Acest sistem de îndepărtare a fotorezistenței prin plasmă pentru wafere utilizează tehnologia plasmei RF la 13,56 MHz, cu un domeniu reglabil de putere de ieșire RF de la 0 până la 1000 W. Oxigenul este gazul principal de proces pentru calcinarea fotorezistenței și îndepărtarea contaminanților organici, în timp ce argonul poate fi folosit ca gaz auxiliar, în funcție de cerințele procesului.

După ce camera atinge nivelul țintă de vid, gazele de proces sunt introduse în camera de reacție din cuarț, unde energia RF generează plasma. Speciile reactive din plasma de oxigen reacționează cu componentele organice ale fotorezistenței pentru a produce subproduse volatile, care sunt evacuate prin sistemul de vid, realizând astfel eliminarea uscată a fotorezistenței și curățarea suprafeței.

În comparație cu metodele umede de îndepărtare, îndepărtarea fotorezistenței prin plasmă reduce consumul de produse chimice și permite un control precis asupra puterii, debitului, presiunii și duratei, prin setările rețetei. Totuși, orice proces de îndepărtare necesită validare în funcție de materialele specifice implicate—în special atunci când se prelucrează fotorezistență expusă la implantare ionica cu doză ridicată, straturi groase de rezistență sau structuri de substrat sensibile la temperatură.

Instalare și punere în funcțiune pe loc:

La sosirea echipamentului la sediul clientului european, personalul de inginerie a inspectat mai întâi aspectul exterior al echipamentului, componentele esențiale și starea acestuia după transport, poziționând ulterior unitatea conform cerințelor de instalare. În continuare, au verificat conexiunile pentru alimentarea cu energie electrică, gazele de proces, aerul comprimat, evacuarea și alte utilități ale instalației.

Cerința de referință privind alimentarea cu energie electrică pentru aparatul de curățare cu plasma MD-2300 este CA 380 V, 50/60 Hz, 40 A. Sediul clientului trebuie să furnizeze, de asemenea, oxigen, argon, azot și aer comprimat care să respecte specificațiile de proces. Purația gazelor, presiunea, conexiunile conductelor și condițiile de evacuare trebuie confirmate în concordanță cu configurația finală a echipamentului și cu specificațiile utilităților.

După finalizarea conexiunilor la rețelele de utilități, echipa de inginerie a verificat sistematic sistemul de comandă, sistemul de vid, liniile de gaze de proces, sursa de alimentare cu putere RF, sistemul de adaptare și funcțiile de protecție la siguranță. Odată ce starea de funcționare de bază a echipamentului a fost confirmată ca fiind normală, s-au efectuat testarea fără sarcă și verificarea funcțională.

Instruirea pe loc a constituit un element esențial al livrării plasmei de șlefuire (plasma asher). Instruirea a acoperit pornirea și oprirea echipamentului, funcționarea automată și manuală, editarea rețetelor, prelucrarea în loturi și gestionarea situațiilor anormale.

Operatorii au învățat cum să creeze rețete de proces în funcție de produsele specifice și cum să configureze parametrii cheie, inclusiv:

- Debitul de oxigen și argon;

- Puterea de ieșire RF;

- Presiunea de funcționare în cameră;

- Durata procesării;

- Etapele de vidare și umplere cu gaze;

- Secvența de evacuare după finalizarea procesului.

Formarea a subliniat, de asemenea, importanța gestionării rețetelor. Pentru echipamentele destinate eliminării fotoresistului de pe wafere, un singur set de parametri poate să nu fie potrivit pentru toate produsele. Factori precum tipul de fotoresist, grosimea acestuia, condițiile de coacere, cantitatea de wafere încărcate și starea procesării amonte pot influența, cu toții, rata reală de eliminare și uniformitatea.

Prin salvarea rețetelor de proces validate, clientul poate minimiza variabilitatea între operatori și poate îmbunătăți reproductibilitatea în loturile ulterioare. Înainte de lansarea producției de masă la scară completă, se recomandă efectuarea unor teste pe mai multe loturi, folosind wafere reprezentative, pentru a verifica performanța de eliminare, uniformitatea și stabilitatea procesului.