MD-2300 batch-type wafer plasma photoresist stripper: installatie en inbedrijfstelling in Europa voltooid.

Projectoverzicht:

De Minder-Hightech MD-2300 batch-type wafer plasma photoresist stripper is met succes geïnstalleerd, in bedrijf gesteld en overgedragen – inclusief operationele training – bij de Europese klant. Deze apparatuur is voornamelijk ontworpen voor het verwijderen van photoresist en descumming op wafers, en biedt de klant nauwkeurig regelbare RF-plasma-verwerkingsmogelijkheden voor de productie van halfgeleiders en micro-elektronica.

Het projectomvang omvatte niet alleen de levering van de plasma-ashingapparatuur, maar ook de installatie ter plaatse, inspectie, functionele verificatie, opleiding van operators en een introductie in fundamentele procesprincipes. Via deze diensten ter plaatse kregen de operators van de klant inzicht in de constructie van de apparatuur, de operationele workflow, configuratie van recepten en de vereisten voor routineonderhoud, waardoor de basis werd gelegd voor latere procesvalidatie en massaproductie.

Klanteneisen:

De klant heeft een oplossing nodig voor het behandelen van fotolak en procesrestanten op wafers. Afhankelijk van de specifieke productiefase kan de wafersoppervlakte een volledige laag fotolak bevatten of slechts dunne restanten van primer of organisch materiaal. Daarom moet de apparatuur zowel bulkverwijdering van fotolak via ashing ondersteunen als fijnere oppervlaktetreatments, zoals descumming. Voor toepassingen met volledige fotolakverwijdering moet het plasmasysteem in staat zijn om de doellaklaag binnen een redelijke tijd te verwijderen. Bij descumming ligt de nadruk op het verwijderen van dunne residuallagen aan de basis van structuren of op gelokaliseerde plaatsen, terwijl tegelijkertijd het effect van overbehandeling op wafersstructuren en latere productiestappen wordt gecontroleerd.

MD-2300 Plasma PR System: Inleiding, configuratie en verwerkningsprincipes ：

Het systeem biedt instelbare RF-vermogens, procesgasstromen, vacuumdruk en verwerkingstijden, waardoor processen flexibel kunnen worden afgestemd op diverse vereisten voor het verwijderen van fotolak. De definitieve recepten moeten worden geoptimaliseerd op basis van het specifieke fotolaktype, de lakdikte, de upstream-processen en de door de klant gehanteerde acceptatiecriteria.

Dit plasma-systeem voor fotolakverwijdering op wafers maakt gebruik van 13,56 MHz RF-plasmatechnologie, met een instelbaar RF-uitgangsvermogen van 0 tot 1000 W. Zuurstof fungeert als primair procesgas voor het ‘ashen’ van fotolak en het verwijderen van organische verontreinigingen, terwijl argon als hulp-gas kan worden gebruikt, afhankelijk van de procesvereisten.

Zodra de kamer het gewenste vacuumniveau bereikt heeft, worden procesgassen in de kwartsreactiekamer geïntroduceerd, waarbij RF-energie plasma genereert. Reactieve soorten binnen het zuurstofplasma reageren met de organische componenten van de fotolak om vluchtige bijproducten te vormen die via het vacuümsysteem worden afgevoerd, waardoor droog fotolakverwijdering en oppervlaktereiniging worden bereikt.

In vergelijking met natte strippingsmethoden vermindert plasmafotolakverwijdering het chemisch gebruik en biedt het nauwkeurige controle over vermogen, stroomsnelheid, druk en tijd via receptinstellingen. Elke verwijderingsmethode vereist echter validatie op basis van de specifieke materialen die betrokken zijn—met name bij het bewerken van fotolak die is blootgesteld aan ionenimplantatie met hoge dosis, dikke fotolaklagen of temperatuurgevoelige wafelstructuren.

Lokale installatie en inbedrijfstelling:

Bij aankomst van de apparatuur op de locatie van de Europese klant inspecteerden technische medewerkers eerst het uiterlijk van de apparatuur, de kritieke onderdelen en de staat na vervoer; daarna plaatsten zij de eenheid conform de installatievereisten. Vervolgens controleerden zij de aansluitingen voor stroomvoorziening, procesgassen, perslucht, afvoer en andere nutsvoorzieningen.

De referentievereiste voor de stroomvoorziening van de MD-2300 plasma-asher is AC 380 V, 50/60 Hz, 40 A. Op de klantlocatie moeten ook zuurstof, argon, stikstof en perslucht beschikbaar zijn die voldoen aan de procespecificaties. Zuiverheid, druk, leidingaansluitingen en afvoervoorwaarden van de gassen moeten worden gecontroleerd tegen de definitieve configuratie van de apparatuur en de specificaties van de nutsvoorzieningen.

Na het voltooien van de nutsvoorzieningsaansluitingen controleerde het technische team systematisch het regelsysteem, het vacuümsysteem, de procesgasleidingen, de RF-voeding, het aanpassingssysteem en de functies voor veiligheidsbescherming. Zodra de basisbedrijfsstatus van de apparatuur als normaal werd bevestigd, werden tests zonder belasting en functionele verificatie uitgevoerd.

Training ter plaatse was een essentieel onderdeel van de levering van de plasma-asher. De training omvatte het opstarten en afsluiten van de apparatuur, automatische en handmatige bediening, receptbewerking, batchverwerking en het omgaan met afwijkende situaties.

De operators leerden hoe ze procesrecepten konden opstellen op basis van specifieke producten en belangrijke parameters konden configureren, waaronder:

- Stroomsterkten van zuurstof en argon;

- RF-uitgangsvermogen;

- Bedrijfsdruk in de kamer;

- Verwerkingstijd;

- Vacuüm- en gasvulstappen;

- Afvoersequentie na voltooiing van het proces.

De training benadrukte ook het belang van receptbeheer. Voor apparatuur voor het verwijderen van fotolak van wafers is een enkele set parameters mogelijk niet geschikt voor alle producten. Factoren zoals het type fotolak, de dikte ervan, de bakomstandigheden, de hoeveelheid wafers per lading en de status van de upstream-bewerking kunnen allemaal invloed uitoefenen op de werkelijke verwijderingssnelheid en uniformiteit.

Door gevalideerde procesrecepten op te slaan, kan de klant de variabiliteit tussen operators minimaliseren en de reproduceerbaarheid over opeenvolgende batches verbeteren. Voordat volledige massaproductie wordt gestart, wordt aanbevolen om meerdere batches te testen met representatieve wafers om de verwijderingsprestaties, uniformiteit en processtabiliteit te verifiëren.