MD-2300 Mesin Penghilang Fotoresist Plasma Jenis Batch untuk Wafer telah siap dipasang dan diuji coba di Eropah.

Gambaran Keseluruhan Projek:

Mesin Penghilang Fotoresist Plasma Jenis Batch MD-2300 buatan Minder-Hightech telah berjaya dipasang, diuji coba, dan diserahkan—termasuk latihan operasi—kepada pelanggan di Eropah. Peralatan ini direka khas untuk proses penghilangan fotoresist dan proses descumming pada permukaan wafer, serta memberikan kepada pelanggan kemampuan pemprosesan plasma RF yang boleh dikawal dalam pembuatan semikonduktor dan mikroelektronik.

Lingkup projek ini merangkumi bukan sahaja penghantaran peralatan pembersihan plasma tetapi juga pemasangan di tapak, pemeriksaan, pengesahan fungsi, latihan operator, dan pengenalan kepada prinsip proses asas. Melalui perkhidmatan di tapak ini, operator pelanggan memperoleh pemahaman tentang struktur peralatan, alur kerja operasi, konfigurasi resipi, dan keperluan penyelenggaraan rutin, seterusnya meletakkan asas bagi pengesahan proses dan pengeluaran pukal seterusnya.

Kebutuhan pelanggan:

Pelanggan memerlukan penyelesaian untuk merawat photoresist dan sisa proses pada permukaan wafer. Bergantung kepada peringkat pengeluaran tertentu, permukaan wafer mungkin mempunyai lapisan penuh photoresist atau hanya sisa nipis primer atau bahan organik. Oleh itu, peralatan tersebut mesti menyokong kedua-dua proses penghapusan/pembakaran photoresist secara pukal dan rawatan permukaan yang lebih halus, seperti descumming. Bagi aplikasi penghapusan photoresist sepenuhnya, sistem plasma mesti mampu mengeluarkan lapisan photoresist sasaran dalam tempoh masa yang munasabah. Bagi proses descumming, tumpuan beralih kepada penghapusan lapisan sisa nipis di dasar corak atau di kawasan setempat, sambil mengawal kesan terhadap struktur wafer dan langkah pembuatan seterusnya akibat pemprosesan berlebihan.

Sistem Plasma PR MD-2300: Pengenalan, Konfigurasi, dan Prinsip Pemprosesan ：

Sistem ini menawarkan kuasa RF boleh laras, kadar aliran gas proses, tekanan vakum, dan masa pemprosesan, memberikan kelenturan untuk menyesuaikan proses mengikut keperluan pelbagai penyingkiran fotorezist. Resipi akhir mesti dioptimumkan berdasarkan jenis fotorezist tertentu, ketebalan fotorezist, proses hulu, dan kriteria penerimaan yang digunakan oleh pelanggan.

Sistem penyingkiran fotorezist plasma wafer ini menggunakan teknologi plasma RF 13.56 MHz, dengan julat kuasa output RF boleh laras dari 0 hingga 1000 W. Oksigen berfungsi sebagai gas proses utama untuk pengabuan fotorezist dan penyingkiran kontaminan organik, manakala argon boleh digunakan sebagai gas bantu bergantung pada keperluan proses.

Apabila ruang mencapai tahap vakum sasaran, gas proses diperkenalkan ke dalam ruang tindak balas kuartz, di mana tenaga RF menjana plasma. Spesies reaktif dalam plasma oksigen bertindak balas dengan komponen organik fotoperintang untuk menghasilkan hasil sampingan mudah meruap yang dibuang melalui sistem vakum, seterusnya mencapai penghilangan fotoperintang kering dan pembersihan permukaan.

Berbanding kaedah pelucutan basah, penghilangan fotoperintang plasma mengurangkan penggunaan bahan kimia dan membolehkan kawalan tepat terhadap kuasa, kadar aliran, tekanan, dan masa melalui tetapan resipi. Namun, sebarang proses penghilangan memerlukan pengesahan berdasarkan bahan khusus yang terlibat—terutamanya ketika memproses fotoperintang yang terdedah kepada implan ion dos tinggi, lapisan fotoperintang tebal, atau struktur wafer yang peka terhadap suhu.

Pemasangan dan Penyusunan Di Lokasi:

Apabila peralatan tiba di tapak pelanggan Eropah, personel kejuruteraan terlebih dahulu memeriksa bahagian luar peralatan, komponen utama, dan keadaannya selepas pengangkutan, kemudian menempatkan unit tersebut mengikut keperluan pemasangan. Seterusnya, mereka mengesahkan sambungan bekalan kuasa, gas proses, udara termampat, saluran buangan, dan utiliti kemudahan lain.

Keperluan rujukan bekalan kuasa untuk mesin penghapusan plasma MD-2300 ialah AC 380 V, 50/60 Hz, 40 A. Tapak pelanggan juga mesti menyediakan oksigen, argon, nitrogen, dan udara termampat yang memenuhi spesifikasi proses. Ketulenan gas, tekanan, sambungan paip, dan keadaan saluran buangan mesti disahkan berdasarkan konfigurasi akhir peralatan dan spesifikasi utiliti.

Selepas menyelesaikan sambungan utiliti, pasukan kejuruteraan secara sistematik memeriksa sistem kawalan, sistem vakum, saluran gas proses, bekalan kuasa RF, sistem penyesuaian, dan fungsi perlindungan keselamatan. Setelah status operasi asas peralatan disahkan sebagai normal, ujian tanpa beban dan pengesahan fungsi dijalankan.

Latihan di lokasi merupakan komponen utama dalam penghantaran plasma asher. Latihan ini merangkumi permulaan dan penutupan peralatan, operasi automatik, operasi manual, penyuntingan resipi, pemprosesan pukal, dan penanganan keadaan tidak normal.

Operator belajar cara mencipta resipi proses berdasarkan produk tertentu serta mengkonfigurasi parameter utama, termasuk:

- Kadar aliran oksigen dan argon;

- Kuasa keluaran RF;

- Tekanan operasi ruang proses;

- Masa pemprosesan;

- Langkah vakum dan pengisian gas;

- Urutan pembuangan selepas penyelesaian proses.

Latihan ini juga menekankan kepentingan pengurusan resipi. Bagi peralatan penyingkiran fotoresist wafer, satu set parameter sahaja mungkin tidak sesuai untuk semua produk. Faktor-faktor seperti jenis fotoresist, ketebalan, keadaan pembakaran, kuantiti muatan wafer, dan status pemprosesan hulu semuanya boleh mempengaruhi kadar penyingkiran sebenar dan keseragaman.

Dengan menyimpan resipi proses yang telah disahkan, pelanggan boleh meminimumkan variasi antara operator dan meningkatkan pengulangan prestasi pada kelompok-kelompok berikutnya. Sebelum pengeluaran pukal sepenuhnya, digalakkan menjalankan ujian berbilang kelompok menggunakan wafer yang mewakili untuk mengesahkan prestasi penyingkiran, keseragaman, dan kestabilan proses.