주로 실리콘, 게르마늄, 실리콘 카바이드, 아연 산화물 등 다양한 반도체 재료에 적합합니다. 스텔스 다이싱(Stealth Dicing)은 레이저 빛을 워크피스 내부에 집광하여 변성층을 형성한 후, 접착 필름의 팽창 등 다른 방법을 통해 워크피스를 칩으로 분할하는 다이싱 방식입니다. 4인치, 6인치, 8인치 웨이퍼에 적합합니다.













처리 크기 |
12인치, 8인치, 6인치, 4인치 |
가공 방법 |
절단/후면 절단 |
가공 재료 |
사파이어, Si, GaN 및 기타 연약 재료 |
웨이퍼 두께 |
100-1000um |
최대 처리 속도 |
1000/s |
위치 정확도 |
1um |
반복 위치 정확도 |
1um |
엣지 붕괴 |
< 5um |
무게 |
2800kg |


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