ICP 건식 플라즈마 포토레지스트 제거제
ICP 건식 플라즈마 포토레지스트 제거제는 주로 폴리머 제거, 애싱, 디스컴, 이온 주입 후 포토레지스트 제거 및 표면 잔여물 세정에 사용된다. MDST3100 챔버는 4~8인치 웨이퍼를 단일 웨이퍼 처리 방식으로 처리할 수 있으며, MDST3200 챔버는 4~8인치 웨이퍼를 한 번에 두 장씩 처리할 수 있다.
장비 외관은 지속적인 업그레이드 및 조정을 거칠 수 있으며, 실제 출하된 제품이 최종 기준이다.
세탁
중합물 제거
DESCUM
하드 마스크 층의 드라이 클리닝
이온 주입 후 포토레지스트 제거
표면 잔여물 제거
BAW/SAW 공정에서의 포토레지스트 제거
반사 방지 그래픽 필름 층의 드라이 클리닝
에칭 후 표면 청소
장점:
플라즈마 이온화 및 분해 정도가 높음
플라즈마 처리 후 재현성이 높음
건식 에칭, 오염원 없음
나비벌브를 통해 압력과 온도를 제어함
고압에서 플라즈마를 유지할 수 있음
고전압원과 이온 발생기의 분리
마이크로웨이브 접합부와 자기 회로가 호환됨
고객 요구사항을 충족할 수 있음
공정 중 저온 유지
빠른 응답 속도와 짧은 응답 시간
모델 |
MDST3100 |
MDST3200 |
|
플라즈마 소스 |
RF |
RF |
|
전력 |
ICP |
1000W
|
1000W
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BIAS |
부적절함 |
부적절함 |
|
적용 범위 |
4~8인치 |
4~8인치 |
|
단일 작업에서 처리되는 웨이퍼 수 |
1 |
2 |
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전체 치수 |
1300×1190×1847mm |
1300×1650×1850mm |
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시스템 제어 |
산업 제어 시스템 |
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자동화 정도 |
자동 |
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장비의 실제 사진 ：
저작권 © 광저우 민더 하이테크 코.,Ltd. 모든 권리 보유
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