배치형 웨이퍼 튜브식 포토레지스트 제거기/웨이퍼 애싱 시스템

배치형 웨이퍼 RF 포토레지스트 제거 장비

장비 외관은 지속적인 업그레이드 및 조정을 거칠 수 있으며, 실제 출하된 제품이 최종 기준이다.

MDST-3300은 배치 처리 방식의 웨이퍼 카세트 기반 마이크로웨이브 애싱 시스템으로, 포토레지스트 제거, 디스컴, 웨이퍼 세정, 습식 공정 후 잔류물 제거, 웨이퍼 표면 잔류물 세정, 개발 후 잔류물 제거 등 다양한 용도에 사용된다. 진공 챔버 내부의 석영 카세트에 고정된 웨이퍼 표면에 있는 포토레지스트에 작용하는 플라즈마는 자유 전자의 움직임에 의해 생성된다. 13.56 MHz 마이크로웨이브 에너지를 진공 챔버 벽에 가함으로써 지속적이고 고밀도의 플라즈마가 발생한다. 챔버는 4인치에서 8인치 웨이퍼용 석영 카세트를 수용할 수 있다.

MDST-2300은 빠르고 손상 없는 플라즈마 세정을 제공한다. 이 시스템은 활성화된 라디칼과 웨이퍼 표면의 포토레지스트 사이의 화학 반응을 통해 이러한 세정 효과를 달성한다.

작동 원리:

공정 가스에 전기장을 인가하여 이를 플라즈마로 이온화시킨다. 플라즈마의 '활성' 성분으로는 이온, 전자, 원자, 자유 라디칼, 여기 상태 종(메타스테이블 상태), 광자 등이 있다. 플라즈마 처리는 이러한 활성 성분들의 특성을 활용하여 산화, 환원, 결합 절단, 가교결합, 중합과 같은 물리적·화학적 반응을 유도함으로써 시료 표면의 특성을 변화시킨다. 이 공정은 표면 성능을 최적화하고, 세정, 표면 개질, 잔여물 제거 등의 목적을 달성한다.

장점:

1. 유연한 제품 고정 장치로 불규칙한 형태의 웨이퍼를 수용 가능;

2. 저온 플라즈마로 인해 웨이퍼의 열적 손상 방지;

3. 전기적으로 중성인 플라즈마로 인해 웨이퍼의 전기적 손상 방지;

4. 고효율·균일한 플라즈마 출력으로 포토레지스트 제거 효과 극대화;

5. 높은 플라즈마 이온화 및 해리 정도;

6. 드라이 에칭 공정으로 오염원 제거;

7. 버터플라이 밸브를 통한 압력 및 온도 제어;

8. 고압 가스 조건에서도 플라즈마 유지 가능;

9. 고전압 전원장치와 이온 발생기 분리 설계;

10. 마이크로웨이브 결합 및 자기 회로 구성을 지원함.

제품 구조:

플라즈마 표면 처리 시스템은 주로 진공 챔버 및 진공 시스템, 고주파 발생기, 제어 시스템의 세 부분으로 구성된다.

(A) 진공 챔버 및 진공 발생 시스템:

진공 챔버는 캐비닛 프레임 내부에 고정되어 있으며 양측에 분리 가능한 도어가 있어 내부 진공 챔버 및 진공 시스템의 정비가 매우 용이하다. 진공 발생 시스템은 주로 골무형 호스, KF 접합부, 진공 펌프로 구성되며, 핵심 부품은 진공 펌프(진공 펌프 그룹)이다.

(B) RF 발생기:

RF 발생기는 1000W 전원 공급 장치를 탑재하여 RF를 생성하며, 마이크로웨이브 에너지는 임피던스 정합 장치를 통해 플라즈마 석영 챔버로 공급되어 플라즈마를 형성한다.

(C) 제어 시스템:

이 시스템은 산업용 디스플레이 화면, PC 산업용 제어 시스템, 중국어 인터페이스 디자인을 사용합니다. 장비의 프로세스 제어: 진공 펌프 시작 -> 배프 밸브 열 -> 설정 진공 정도에 도달 -> 프로세스 가스가 도입 -> RF 소스 RF 에너지를 생성 -> RF 에너지가 방으로 공급 -> 방에서 플라스마가 형성됩니다 -> 진공이 깨지기 전까지 작업 시간 -> 작업이 완료됩니다. 장비는 자동 및 수동 두 가지 모드로 제공됩니다.

제품 사양: