Principalement adapté à divers matériaux semi-conducteurs tels que le silicium, le germanium, le carbure de silicium, l’oxyde de zinc, etc. Le découpage « stealth » est une méthode de découpage qui consiste à focaliser un faisceau laser à l’intérieur de la pièce afin de former une couche modifiée, puis à séparer la pièce en puces par expansion du film adhésif ou par d’autres méthodes. Il convient aux plaquettes de 4 pouces, 6 pouces et 8 pouces.













Taille de traitement |
12 pouces, 8 pouces, 6 pouces, 4 pouces |
Méthode de transformation |
Coupe/contre-coupe |
Traitement des matériaux |
Saphir, Si, GaN et autres matériaux fragiles |
Épaisseur de la galette |
100-1000um |
Vitesse de traitement maximale |
1000/s |
Précision de positionnement |
1um |
Précision de positionnement répétitif |
1um |
Effondrement des bords |
< 5um |
Poids |
2800KG |


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