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Décapant de wafer par tube en mode lot / Système de décapage (ashing) pour wafer

Modèle : MDST-3300

Système de gravure de wafers

Équipement par lots pour le décapage de la résine photosensible sur plaquettes RF

L’apparence de l’équipement est sujette à des mises à jour et ajustements continus ; le produit effectivement expédié fait foi.

Le MDST-3300 est un système de cendrage par micro-ondes à traitement par lots, basé sur des casettes de plaquettes, conçu pour des applications telles que le retrait de la résine photosensible, le décapage (descumming), le nettoyage des plaquettes, l’élimination des résidus après les procédés humides, le nettoyage des résidus en surface des plaquettes et l’élimination des résidus après développement. Des électrons libres en mouvement génèrent un plasma qui agit sur la résine photosensible présente sur les surfaces des plaquettes maintenues dans une cassette en quartz à l’intérieur de la chambre. Un plasma continu et à haute densité est généré en appliquant une énergie micro-onde de 13,56 MHz aux parois de la chambre sous vide. La chambre accepte des cassettes en quartz destinées à des plaquettes de 4 à 8 pouces.

Le MDST-2300 assure un nettoyage plasma rapide et sans dommage. Ce système obtient cet effet de nettoyage grâce à des réactions chimiques entre des radicaux activés et la résine photosensible située à la surface des plaquettes.

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Principe de fonctionnement :

Un champ électrique est appliqué au gaz de procédé afin de le transformer en plasma. Les composants « actifs » du plasma comprennent des ions, des électrons, des atomes, des radicaux libres, des espèces dans des états excités (états métastables) et des photons. Le traitement par plasma exploite les propriétés de ces composants actifs pour induire des réactions physiques et chimiques — telles que l’oxydation, la réduction, la rupture de liaisons, la réticulation et la polymérisation — modifiant ainsi les caractéristiques de surface de l’échantillon. Ce procédé optimise les performances de surface et permet d’atteindre des objectifs tels que le nettoyage, la modification de surface et l’élimination de résidus.

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Avantages :

1. Des supports flexibles pour les produits permettent d’accommoder des tranches de forme irrégulière ;

2. Le plasma à basse température empêche les dommages thermiques aux tranches ;

3. Le plasma électriquement neutre évite les dommages électriques aux tranches ;

4. Une sortie de plasma uniforme et hautement efficace garantit une élimination efficace du photo-résist ;

5. Degré élevé d’ionisation et de dissociation du plasma ;

6. Le procédé de gravure sèche élimine les sources de contamination ;

7. La pression et la température sont régulées via une vanne papillon ;

8. Capable de maintenir le plasma à des pressions élevées de gaz ;

9. La source d’alimentation haute tension est séparée du générateur d’ions ;

10. Compatible avec les configurations de couplage micro-ondes et de circuit magnétique.

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Structure du produit :

Le système de traitement de surface par plasma comprend principalement trois parties : la chambre à vide et le système à vide, le générateur de radiofréquence et le système de commande.

(A) Chambre à vide et système de génération du vide :

La chambre à vide est fixée à l’intérieur du bâti de l’armoire, avec des portes amovibles sur les deux côtés, ce qui rend l’entretien de la chambre à vide interne et du système à vide extrêmement pratique. Le système de génération du vide se compose principalement de tubes soufflets, de raccords KF et de pompes à vide, la pièce maîtresse étant la pompe à vide (groupe de pompes à vide).

(B) Générateur RF :

Le générateur RF est équipé d’une alimentation électrique de 1000 W pour générer des radiofréquences, et l’énergie micro-ondes est injectée dans la chambre en quartz à plasma via un dispositif d’adaptation afin de former le plasma.

(C) Système de commande :

Ce système utilise des écrans d’affichage industriels, des systèmes de commande industrielle PC et une conception d’interface en chinois. Contrôle du procédé pour l’équipement : démarrage de la pompe à vide → ouverture de la vanne à persiennes → atteinte du degré de vide réglé → introduction du gaz de procédé → source RF générant un signal RF → injection de l’énergie RF dans la chambre → formation du plasma dans la chambre → durée de fonctionnement jusqu’à la rupture du vide → fin du travail. L’équipement est disponible en deux modes : automatique et manuel.

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Les spécifications du produit:

Unité principale à plasma sous vide

Dimensions de l'équipement

Longueur 1000 mm × Profondeur 850 mm × Hauteur 1700 mm

Besoins en énergie

CA 380 V, 50/60 Hz, 5 fils, 40 A

Spécifications du générateur de plasma

Alimentation électrique RF

 

Puissance

0~1000W

Fréquence

13,56 MHz

Réseau d’adaptation

Puissance

0~1000W

Fréquence

13,56 MHz

Système de vide

Pompe sèche

Pompe sèche

Tuyauterie sous vide

Soufflet sous vide renforcé

Matière

Quartz

Dimensions intérieures de la chambre

354 mm × 508 mm (diamètre × profondeur)

Niveau de vide

120 mTorr @ 2 min

Nombre de plaquettes traitées

25 pièces (8 pouces) / 50 pièces (4 pouces, 6 pouces)

Taux de fuite de la chambre

≤ 10 mTorr

Vide de base

≤ 50 mTorr à 3 min

Gaz de processus

Plage de débit

O₂ : 1000 sccm ; Ar : 1000 sccm

Ligne de gaz de procédure

(O₂, Ar) + 1 voie réservée

Système de contrôle

Contrôle du système

PC

Méthode de livraison

Écran tactile industriel

Retrait de la résine photosensible

Remarque

Taux de dégommage

200 A/min

Cela dépend des échantillons clients spécifiques et des conditions de traitement.

WIW

SPÉC 20%

 

WTW

SPÉC 20%

Lot à lot

SPÉC 20%

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