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  • Halbleiterwafer Siliciumcarbid-Etch RIE Reaktives Ionenetchen Plasma-Fotolack-Entfernungsgerät
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Produktbeschreibung

RIE Plasma-Fotowiderstandsentfernungsmaschine

RIE Plasma-Fotowiderstandsentfernungsmaschine geeignet für Kohlenstoffsilizium-Ätzen, Oberflächenrestentfernung, Siliziumoxid- oder Siliziumnitrid-Ätzen usw. Die Kammer ist für 4-8 Zoll Proben geeignet
Siliciumcarbid-Ätzung
Oberflächenreinigung nach dem Ätzen
DESCUM
Hartes Maskenschicht, trockene Entfernung
Siliconoxid- oder Siliciumnitrid-Ätzung
Entfernung des optischen Widerstands zwischen Medien
Oberflächenrestverteilung
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Spezifikation
Plasmaquelle
RF
Leistung
ICP
_
BIAS
1000W (Option)
Anwendungsbereich
4~8 Zoll
Anzahl der einzeln zu verarbeitenden Scheiben
1
Aussehende Abmessungen
850mmx900mmx1850mm
Systemsteuerung
PLC
Automatisierungsgrad
Handbuch
Fabrik
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Verpackung & Lieferung
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Unternehmensprofil
16 Jahre Erfahrung im Geräteelexport! Wir können Ihnen eine integrierte Lösung für Halbleiter-Front-End-Prozesse und -Geräte bieten!
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