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  • PECVD Plasma-verstärkte chemische Gasphasenabscheidungseinrichtung / Hochtemperatur PECVD-Prozess
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PECVD Plasma-verstärkte chemische Gasphasenabscheidungseinrichtung / Hochtemperatur PECVD-Prozess

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Produktbeschreibung

PECVD Plasma-verstärktes chemisches Gasphasenabscheidungsgerät

◆ Durch eine industrielle Computer wird eine vollautomatische Steuerung der Prozesszeit, Temperatur, Gasfluss, Ventilfunktion und Reaktionskammerdruck realisiert durch
industriellen Computer.
◆ Importiertes Druckregelsystem und geschlossenes Regelkreissystem werden eingesetzt, mit hoher Stabilität.
◆ Importierte korrosionsbeständige Edelstahlrohrleitungen und Ventile werden verwendet, um die Dichtigkeit der Gasleitung sicherzustellen.
◆ Es verfügt über eine vollständige Alarmfunktion und Sicherheitssperre.
◆ Es gibt Alarme für übermäßige Temperaturen, Untertemperaturen, MFC-Alarms, Reaktionskammerdruckalarm, HF-Alarm, niedrigen Kompressluftdruckalarm, niedrigen N2-Druckalarm und niedrigen Kühlwasserflussalarm.
◆ Das bestehende PECVD verfügt nach dem Upgrade über die Funktion, eine SiO2-Schicht zu wachsen, was das PID-Problem des Batteriemoduls löst. Eine SiNxOy-Schicht kann gewachsen werden (Rückpassivierungsprozess), was die Wirkungsgrad des Akkus erheblich verbessern kann.
PECVD Plasma enhanced chemical vapor deposition equipment / High temperature PECVD process supplier
PECVD Plasma enhanced chemical vapor deposition equipment / High temperature PECVD process details
PECVD Plasma enhanced chemical vapor deposition equipment / High temperature PECVD process factory

Typ

◆ Beladungsmenge: 384 Stück/Boot (125 * 125); 336 Stück/Boot (156 * 156)
◆ Reinheitsgrad der Reinraumtabelle: Klasse 100 (Klasse 10.000 Fabrik)
◆ Automatisierungsgrad: Automatische Temperatur- und Prozesssteuerung.
◆ Chipschick- und -entnahmemodus: sanfte Landungsart, mit stabilen und zuverlässigen Eigenschaften, kein Kriechen, genaue Positionierung, große Tragfähigkeit und langer Lebenszyklus.
Spezifikation
Maximale Beladung pro Röhre
384 Stück/Boot (125*125)
336 Stück/Boot (156*156)
Prozessindex
± 3% in der Tablette, ± 3% zwischen Tabletten, ± 3% zwischen Chargen
betriebstemperatur
200~500℃
Genauigkeit und Länge der Temperaturzone (statischer geschlossener Rohrtest)
1200mm±1℃
Gasflussgenauigkeit
±1%FS
Dichte des Luftkreislaufsystems
1×10-7Pa.m³/S
kONTROLLE
Vollständig importiertes automatisches Druck-Schleifen-Regelungssystem, präzise Kontrolle des Reaktionsvakuum; 40KHz Hochfrequenz-Leistung
versorgung; Sanftes Landen des Bootes; Voll digitale Steuerung, vollständiger und sicherer Prozesskontrollschutz.
1 Röhre, 2 Röhren, 3 Röhren und 4 Röhren sind optional; Der automatische Lade-Manipulator ist optional, und die Geräteleistung
und Prozessleistung kann mit den weltweit führenden ähnlichen Geräten vergleichbar sein.
Verpackung und Lieferung
PECVD Plasma enhanced chemical vapor deposition equipment / High temperature PECVD process factory
PECVD Plasma enhanced chemical vapor deposition equipment / High temperature PECVD process manufacture
Um die Sicherheit Ihrer Waren besser zu gewährleisten, werden professionelle, umweltfreundliche, bequeme und effiziente Verpackungsdienste bereitgestellt.
UNTERNEHMENS-PROFIL
Wir haben 16 Jahre Erfahrung im Geräteverkauf. Wir können Ihnen eine umfassende professionelle Lösung für Halbleiter-Ausrüstungen aus China sowohl für Front- als auch für Back-End-Bereiche bieten.

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