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Halbleiterwafer reinigen nach dem ICP-Plasmaversuch Entfernung von Photoresist Maschine

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Produktbeschreibung

ICP Versuchsplasma Fotolack-Entfernungsmaschine

Polymer-Entfernung, Siliziumoxid- oder Siliciumkarbid-Etzung, Oberflächenreinigung nach dem Etzprozess
ASHING Polymerentfernung DESCUM Trockentemperatur der harten Maskenschicht Fotowiderstandsentfernung nach Ionenimplantation Entfernung des optischen Widerstands zwischen Medien Fotowiderstandsentfernung im BAW/SAW-Prozess Trockenreinigung der antireflektierenden grafischen Filmschicht Siliciumoxid- oder Siliciumnitridätzung Oberflächenrückstandsentfernung Oberflächenreinigung nach der Ätzung Siliciumcarbidätzung
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Clean Semiconductor Wafer after Etching ICP Experimental Plasma Removing Photoresist Machine manufacture
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Spezifikation
Plasmaquelle
RF+BIAS
Leistung
1000 W
1000 W
600W
600W
Anwendungsbereich
4-8 Zoll
Anzahl der einzeln zu verarbeitenden Scheiben
eins
Aussehende Abmessungen
1140mm x 1050mm x 1620mm
Systemsteuerung
Industrielle Steuerungssysteme
Automatisierungsgrad
Handbuch
Fabrik
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Verpackung & Lieferung
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Unternehmensprofil
16 Jahre Erfahrung im Geräteelexport! Wir können Ihnen eine integrierte Lösung für Halbleiter-Front-End-Prozesse und -Geräte bieten!
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