Chargenwafer-Rohr-Fotolackentferner/Wafer-Ashing-System

Batch-Wafer-RF-Fotolack-Entfernungsanlage

Das Erscheinungsbild der Anlage unterliegt ständigen Verbesserungen und Anpassungen; das tatsächlich ausgelieferte Produkt ist maßgeblich.

Der MDST-3300 ist ein Batch-Prozess-System zur Mikrowellen-Ashing-Behandlung von Wafern in Quarzkassetten. Es dient Anwendungen wie Fotolackentfernung, Descumming, Waferreinigung, Entfernung von Rückständen nach Nassprozessen, Reinigung von Oberflächenrückständen auf Wafern sowie Entfernung von Rückständen nach der Entwicklung. Frei bewegliche Elektronen erzeugen ein Plasma, das auf den Fotolack auf den Waferoberflächen wirkt, die sich innerhalb der Quarzkassette im Reaktionsraum befinden. Ein kontinuierliches, hochdichtes Plasma entsteht durch Anlegen von 13,56-MHz-Mikrowellenenergie an die Wände der Vakuumkammer. Die Kammer nimmt Quarzkassetten für 4- bis 8-Zoll-Wafer auf.

Der MDST-2300 ermöglicht eine schnelle, schädigungsfreie Plasma-Reinigung. Dieser Reinigungseffekt wird durch chemische Reaktionen zwischen aktivierten Radikalen und dem Fotolack auf der Waferoberfläche erreicht.

Funktionsprinzip:

Ein elektrisches Feld wird auf das Prozessgas angelegt, um es in Plasma zu ionisieren. Die „aktiven“ Bestandteile des Plasmas umfassen Ionen, Elektronen, Atome, freie Radikale, angeregte Spezies (metastabile Zustände) und Photonen. Die Plasmabehandlung nutzt die Eigenschaften dieser aktiven Bestandteile, um physikalische und chemische Reaktionen – wie Oxidation, Reduktion, Bindungsspaltung, Vernetzung und Polymerisation – auszulösen und dadurch die Oberflächeneigenschaften der Probe zu verändern. Dieser Prozess optimiert die Oberflächenleistung und erreicht Ziele wie Reinigung, Oberflächenmodifizierung und Rückstandsentfernung.

Vorteile:

1. Flexible Halterungen für Produkte passen sich unregelmäßig geformten Wafern an;

2. Plasma bei niedriger Temperatur verhindert thermische Schäden an den Wafern;

3. Elektrisch neutrales Plasma vermeidet elektrische Schäden an den Wafern;

4. Hochwirksame und gleichmäßige Plasmaabgabe gewährleistet eine effektive Fotolackentfernung;

5. Hoher Grad an Plasmaionisierung und -dissoziation;

6. Trockenätzverfahren beseitigt Kontaminationsquellen;

7. Druck und Temperatur werden über ein Schmetterlingsventil gesteuert;

8. Fähig, Plasma bei hohen Gasdrücken aufrechtzuerhalten;

9. Hochspannungsstromquelle ist vom Iongenerator getrennt;

10. Kompatibel mit Mikrowellenkopplung und magnetischen Schaltungsanordnungen.

Produktstruktur:

Das Plasma-Oberflächenbehandlungssystem besteht hauptsächlich aus drei Teilen: Vakuumkammer und Vakuumsystem, Hochfrequenzgenerator sowie Steuerungssystem.

(A) Vakuumkammer und Vakumerzeugungssystem:

Die Vakuumkammer ist fest im Gehäuserahmen montiert und verfügt über abnehmbare Türen an beiden Seiten, wodurch die Wartung der inneren Vakuumkammer und des Vakuumsystems äußerst bequem ist. Das Vakumerzeugungssystem besteht hauptsächlich aus Wellrohren, KF-Verbindungen und Vakuumpumpen; zentrales Bauteil ist die Vakuumpumpe (Vakuumpumpengruppe).

(B) HF-Generator:

Der HF-Generator ist mit einer 1000-W-Stromversorgung ausgestattet, um Hochfrequenz zu erzeugen; Mikrowellenenergie wird über eine Anpassungseinrichtung in die Plasma-Quarzkammer eingespeist, um Plasma zu erzeugen.

(C) Steuerungssystem:

Dieses System verwendet industrielle Display-Bildschirme, PC-Industrie-Steuerungssysteme und chinesische Schnittstellen. Prozesssteuerung der Ausrüstung: Vakuumpumpe startet -> Baffelfluss öffnet sich ->Vorgangsschutz erreicht ->Verfahrensgas eingeführt ->RF-Quelle erzeugt RF-Energie ->RF-Energie in die Kammer eingespeist ->Plasma in der Kammer gebildet ->Arbeits Die Ausrüstung ist in zwei Moden erhältlich: automatisch und manuell.

Produktspezifikationen: