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Description du produit

Machine plasma ICP expérimentale pour le retrait du photo-résist

Dépôt polymère, échantillonnage en oxyde de silicium ou carbure de silicium, nettoyage de surface après étamage
Retrait de polymère ASHING DESCUM Retrait sec de la couche de masque dur Retrait de photo-résistance après implantation ionique Retrait de résistance optique entre les milieux Retrait de photo-résistance dans le processus BAW/SAW Nettoyage sec du film graphique anti-réflectif Usinage de l'oxyde de silicium ou de l'azote de silicium Retrait des résidus de surface Nettoyage de surface après usinage Usinage du carbure de silicium
Clean Semiconductor Wafer after Etching ICP Experimental Plasma Removing Photoresist Machine supplier
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Clean Semiconductor Wafer after Etching ICP Experimental Plasma Removing Photoresist Machine manufacture
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Spécification
Source plasma
RF+BIAS
Puissance
1000W
1000W
600 W
600 W
Domaine d'application
4-8 pouces
Nombre de tranches traitées individuellement
un
Dimensions extérieures
1140mm x 1050mm x 1620mm
Contrôle du système
Système de contrôle industriel
Niveau d'automatisation
Manuel
Usine
Clean Semiconductor Wafer after Etching ICP Experimental Plasma Removing Photoresist Machine supplier
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Emballage et livraison
Clean Semiconductor Wafer after Etching ICP Experimental Plasma Removing Photoresist Machine supplier
Profil de l'entreprise
16 ans d'expérience dans l'exportation d'équipements ! Nous pouvons vous fournir une solution complète pour les processus et équipements de traitement en amont de la semi-conductivité !
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