Applications associées :
1. Gravure par réseau : utilisée pour l'affichage 3D, les dispositifs micro-optiques, l'optoélectronique, etc. ;
2. Gravure des semi-conducteurs composés : utilisée pour les LED, les lasers, les communications optiques, etc. ;
3. Substrat de saphir structuré (PSS) ;
4. Gravure du niobate de lithium (LiNO3) : détecteurs, optoélectronique ;
La technologie d'etching réactif ionique à couplage inductif est un type de RIE. Cette technologie permet de découpler la densité des ions plasmas et l'énergie ionique en contrôlant indépendamment le flux ionique, ce qui améliore ainsi la précision et la flexibilité du processus d'etching.
Les produits de la série à gravure ionique réactive couplée inductivement (ICP-RIE) à haute densité sont basés sur la technologie de plasma couplé inductivement et visent à répondre aux besoins de gravure fine et de gravure des semi-conducteurs composés. Ils offrent une excellente stabilité du procédé et une bonne répétabilité, et conviennent aux applications dans les semi-conducteurs en silicium, l'optoélectronique, les télécommunications, les composants de puissance et les dispositifs micro-ondes.
Matériaux applicables :
1. Matériaux à base de silicium : silicium (Si), dioxyde de silicium (SiO2), nitrure de silicium (SiNx), carbure de silicium (SiC)...
2. Matériaux III-V : phosphure d'indium (InP), arséniure de gallium (GaAs), nitrure de gallium (GaN)...
3. Matériaux II-VI : tellurure de cadmium (CdTe)...
4. Matériaux magnétiques/matériaux alliés
5. Matériaux métalliques : aluminium (Al), or (Au), tungstène (W), titane (Ti), tantale (Ta)...
6. Matériaux organiques : résine photosensible (PR), polymère organique (PMMA/HDMS), film mince organique...
7. Matériaux ferroélectriques/photoélectriques : niobate de lithium (LiNbO3)...
8. Matériaux diélectriques : saphir (Al2O3), quartz...
Applications associées :
1. Gravure par réseau : utilisée pour l'affichage 3D, les dispositifs micro-optiques, l'optoélectronique, etc. ;
2. Gravure des semi-conducteurs composés : utilisée pour les LED, les lasers, les communications optiques, etc. ;
3. Substrat de saphir structuré (PSS) ;
4. Gravure du niobate de lithium (LiNO3) : détecteurs, optoélectronique ;
Résultat du processus
Article |
MD150S-ICP |
MD200S-ICP |
MD150CS-ICP |
MD200CS-ICP |
MD300C-ICP |
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Taille du produit |
≤6 pouces |
≤8 pouces |
≤6 pouces |
≤8 pouces |
Sur mesure ≥12pouces |
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Source de puissance SRF |
0~1000W/2000W/3000W/5000W Ajustable, appariement automatique\, 13,56MHz/27MHz |
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Source de puissance BRF |
0~300W/0~500W/0~1000W Ajustable, appariement automatique, 2MHz/13,56MHz |
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Pompe moléculaire |
Non corrosif : 600/1300 (L/s) /Sur mesure |
Anti-corrosion : 600/1300 (L/s) /Sur mesure |
600/1300(L/s) /Sur mesure |
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Pompe Foreline |
Pompe mécanique \ pompe sèche |
Pompe sèche anti-corrosion |
Pompe mécanique \ pompe sèche |
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Pompe de pré-vidange |
Pompe mécanique \ pompe sèche |
Pompe mécanique \ pompe sèche |
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Pression de processus |
Pression non contrôlée\0-0,1\1\10 Torr pression contrôlée |
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Type de gaz |
H2\CH4\O2\N2\Ar\SF6\CF4\ CHF3\C4F8\NF3\NH3\C2F6\Sur mesure (Jusqu'à 12 canaux, sans gaz corrosif et toxique) |
H2\CH4\O2\N2\Ar\SF6\CF4\CHF3\ C4F8\NF3\NH3\C2F6\Cl2\BCl3\HBr\ Sur mesure (Jusqu'à 12 canaux) |
|||||||
Gamme de gaz |
0~5sccm\50sccm\100sccm\200sccm\300sccm\500sccm\1000sccm\Sur mesure |
||||||||
ChargeVerrou |
Oui/Non |
Oui |
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Contrôle de la température de l'échantillon |
10°C~TempPièce / -30°C~150°C / Sur mesure |
-30°C~200°C / Sur mesure |
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Refroidissement à l'hélium arrière |
Oui/Non |
Oui |
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Doublure de cavité de processus |
Oui/Non |
Oui |
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Contrôle de la température des parois de la cavité |
Non/TempPièce-60/120°C |
TempPièce~60/120°C |
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Système de contrôle |
Automatique/Personnalisé |
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Matériau d'usinage |
Silicium-base : Si/SiO2/ SiNx/ SiC..... Matériaux organiques : PR/Organique film...... |
Silicium-base : Si/SiO2/SiNx/SiC III-V : InP/GaAs/GaN...... IV-IV : SiC II-VI : CdTe...... Matériau magnétique / matériau alliages Matériaux métalliques : Ni/Cr/Al/Cu/Au... Matériaux organiques : PR/Film organique...... Étamage profond du silicium |
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FAQ
1. À propos du prix :
Tous nos prix sont compétitifs et négociables. Le prix varie en fonction de la configuration et de la complexité de personnalisation de votre appareil.
2. À propos des échantillons :
Nous pouvons vous fournir des services de production d'échantillons, mais des frais peuvent être requis.
3. À propos du paiement :
Une fois le plan confirmé, vous devez d'abord nous verser un acompte et l'usine commencera à préparer les marchandises. Une fois l'équipement prêt et après paiement du solde, nous l'expédierons.
4. À propos de la livraison :
Une fois la fabrication de l'équipement terminée, nous vous enverrons une vidéo de contrôle qualité et vous pourrez également venir sur place pour inspecter l'équipement.
5. Installation et mise au point :
Une fois que l'équipement est arrivé dans votre usine, nous pouvons envoyer des ingénieurs pour installer et mettre en service l'équipement. Nous vous fournirons un devis séparé pour ce coût de service.
6. À propos de la garantie :
Nos équipements bénéficient d'une période de garantie de 12 mois. Après la période de garantie, si des pièces sont endommagées et doivent être remplacées, nous ne facturerons que le prix des coûts.
7. Service après-vente :
Toutes les machines bénéficient d'une période de garantie supérieure à un an. Nos ingénieurs techniques sont toujours en ligne pour vous fournir des services d'installation, de mise au point et de maintenance du matériel. Nous pouvons fournir des services d'installation et de mise au point sur site pour les équipements spéciaux et les grands équipements.
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