Hauptsächlich geeignet für verschiedene Halbleitermaterialien wie Silizium, Germanium, Siliziumkarbid, Zinkoxid usw. Bei der Stealth-Dicing-Methode wird Laserlicht im Inneren des Werkstücks fokussiert, um eine modifizierte Schicht zu erzeugen; das Werkstück wird anschließend durch Dehnen des Klebefilms und andere Verfahren in Chips getrennt. Sie eignet sich für Wafer mit Durchmessern von 4 Zoll, 6 Zoll und 8 Zoll.













Verarbeitungsgröße |
12 Zoll, 8 Zoll, 6 Zoll, 4 Zoll |
Verarbeitungsverfahren |
Schneiden/Rückenschneiden |
Verarbeitungsmaterial |
Saphir, Si, GaN und andere spröde Materialien |
Waferdicke |
100-1000µm |
Maximale Verarbeitungsgeschwindigkeit |
1000/s |
Positioniergenauigkeit |
1 µm |
Wiederholgenauigkeit der Positionierung |
1 µm |
Kanteneinbruch |
< 5µm |
Gewicht |
2800 kg |


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