Laserunsichtbares Schneiden, als Lösung für das Laserschneiden von Wafers, vermeidet effektiv die Probleme des Diamantscheibenschneidens. Das unsichtbare Laser-Schneiden wird durch Formung eines einzelnen Puls-Lasers mittels optischer Mittel erreicht, wodurch der Laser durch die Oberfläche des Materials hindurchgeleitet und im Inneren des Materials fokussiert wird. In der Brennzone ist die Energiedichte hoch, was zu einem Mehrphotonenabsorptions-Effekt führt, der das Material modifiziert und Risse bildet. Jeder Laserpuls wirkt in gleichen Abständen und erzeugt gleichmäßige Schäden, um eine Modifikationsschicht im Inneren des Materials zu bilden. An der Position der Modifikationsschicht werden die Molekülbindungen des Materials gebrochen, wodurch das Material brüchig und leicht trennbar wird. Nach dem Schneiden wird das Produkt vollständig getrennt, indem die Trägerfolie gestreckt wird, was Lücken zwischen den Chips schafft. Diese Bearbeitungsmethode vermeidet Schäden, die durch direkten mechanischen Kontakt und das Spülen mit reinem Wasser entstehen. Derzeit kann die Technik des laserunsichtbaren Schneidens auf Saphir/Glas/Silizium und verschiedene komplexe Halbleiterwafers angewendet werden.