Induktiv gekoppeltes Plasma-Etzsystem (ICP) Halbleiterausrüstung , China Induktiv gekoppeltes Plasma-Etzsystem (ICP) Halbleiterausrüstung Manufacturers, Suppliers, Factory

Produktbeschreibung

Induktiv gekoppeltes Plasma-Etchensystem (icp)

Die induktiv gekoppelte reaktive Ionenätztechnologie ist eine Art RIE. Diese Technologie erreicht die Entkopplung der Plasmiionendichte und der Ionenenergie, indem der Ionenfluss unabhängig gesteuert wird, wodurch die Regelgenauigkeit und Flexibilität des Ätzprozesses verbessert werden.

Die Produktreihe mit hochdichter induktiv gekoppelter reaktiver Ionenätztechnik (ICP-RIE) basiert auf der induktiv gekoppelten Plasmatechnologie und zielt darauf ab, feine Ätzprozesse sowie Anforderungen im Bereich Verbindungshalbleiter-Ätzen zu erfüllen. Sie verfügt über ausgezeichnete Prozessstabilität und Prozesswiederholbarkeit und eignet sich für Anwendungen in Silizium-Halbleitern, Optoelektronik, Informations- und Kommunikationstechnologie, Leistungselektronik und Mikrowellenvorrichtungen.

Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment details

Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment supplier

Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment factory

Anwendbare Materialien:

1. Silizium-basierte Materialien: Silizium (Si), Siliziumdioxid (SiO2), Siliziumnitrid (SiNx), Siliziumcarbid (SiC)...

2. III-V-Materialien: Indiumphosphid (InP), Galliumarsenid (GaAs), Galliumnitrid (GaN)...

3. II-VI-Materialien: Cadmiumtellurid (CdTe)...

4. Magnetische Materialien/Legierungsmaterialien

5. Metallische Materialien: Aluminium (Al), Gold (Au), Wolfram (W), Titan (Ti), Tantal (Ta)...

6. Organische Materialien: Fotolack (PR), organisches Polymer (PMMA/HDMS), organische Dünnfilme...

7. Ferroelektrische/photoelektrische Materialien: Lithiumniobat (LiNbO3)...

8. Dielektrische Materialien: Saphir (Al2O3), Quarz...

Anwendungsbereiche:

1. Gitterätzverfahren: werden für 3D-Displays, mikrooptische Geräte, Optoelektronik usw. verwendet;

2. Ätzverfahren für Halbleiterverbindungen: werden für LED, Laser, optische Kommunikation usw. verwendet;

3. strukturierter Saphirsubstrat (PSS);

4. Lithiumniobat (LiNO3)-Ätzen: Detektoren, Optoelektronik;

Prozessergebnis

Quarz/Silizium/Gitter-Etchung

Verwendung einer BR-Maske zur Etchung von Quarz- oder Siliziummaterialien, das Gitterarraymuster hat die dünnste Linie bis zu 300nm und die Seitenwandsteilheit des Musters ist nahe an > 89°, was auf 3D-Display, Mikrooptikgeräte, optoelektronische Kommunikation usw. angewendet werden kann

Verbund-/Halbleiter-Etchung

Genaue Kontrolle der Oberflächentemperatur der Probe kann die Etch-Morphologie von GaN-basierten, GaAs-, InP- und Metallmaterialien gut kontrollieren. Es eignet sich für blaue LED-Geräte, Lasers, optische Kommunikation und andere Anwendungen.

Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment manufacture

Etzen von siliziumbasierten Materialien

es eignet sich für das Etching von siliconbasierten Materialien wie Si, SiO2 und SiNx. Es kann Silicon-Linien-Etching über 50nm und tiefes Silicon-Loch-Etching unter 100µm realisieren.

Spezifikation

Projektkonfiguration und Maschinenstrukturdiagramm

Artikel	MD150S-ICP	MD200S-ICP	MD150CS-ICP	MD200CS-ICP	MD300C-ICP
Produktgröße	≤6 Zoll	≤8 Zoll	≤6 Zoll	≤8 Zoll	Benutzerdefiniert≥12Zoll
SRF Stromquelle	0~1000W/2000W/3000W/5000W Verstellbar, automatische Anpassung\,13,56MHz/27MHz
BRF Stromquelle	0~300W/0~500W/0~1000W Verstellbar, automatische Anpassung,2MHz/13,56MHz
Molekularpumpe	Nicht korrosiv: 600/1300 (L/s) /Benutzerdefiniert			Korrosionsfest: 600/1300 (L/s) /Benutzerdefiniert		600/1300(L/s) /Benutzerdefiniert
Foreline-Pumpe	Mechanische Pumpe / Trockene Pumpe			Antikorrosions-Trockenpumpe		Mechanische Pumpe / Trockene Pumpe
Vorschalt-Pumpe	Mechanische Pumpe / Trockene Pumpe			Mechanische Pumpe / Trockene Pumpe
Prozessdruck	Ungeregelter Druck/0-0.1/1/10Torr geregelter Druck
Gasart	H2/CH4/O2/N2/Ar/SF6/CF4/ CHF3/C4F8/NF3/NH3/C2F6/Individuell (Bis zu 12 Kanälen, keine korrosiven & toxischen Gase)			H2/CH4/O2/N2/Ar/SF6/CF4/CHF3/ C4F8/NF3/NH3/C2F6/Cl2/BCl3/HBr/ Individuell (Bis zu 12 Kanälen)
Gasbereich	0~5sccm/50sccm/100sccm/200sccm/300sccm/500sccm/1000sccm/Individuell
LoadLock	Ja\/Nein			Ja
Proben-Temperaturregler	10°C~Raumtemperatur/-30°C~150°C/Benutzerdefiniert			-30°C~200°C/Benutzerdefiniert
Rückseitige Heliumkühlung	Ja\/Nein			Ja
Verarbeitungshohlraumverkleidung	Ja\/Nein			Ja
Hohlraumwand-Temperaturregelung	Nein/Raumtemperatur-60/120°C			Raumtemperatur~60/120°C
Kontrollsystem	Automatisch/benutzerdefiniert
Etchmaterial	Silicium-Basis: Si/SiO2/ SiNx/ SiC..... Organische Materialien: PR/Organisch film......			Silicium-Basis: Si/SiO2/SiNx/SiC III-V: InP/GaAs/GaN...... IV-IV: SiC II-VI: CdTe...... Magnetisches Material / Legierungs-Material Metallische Materialien: Ni/Ch/Al/Cu/Au... Organische Materialien: PR/Organischer Film...... Tiefätzen von Silizium

Verpackung & Lieferung

Unternehmensprofil

Wir haben 16 Jahre Erfahrung im Geräteverkauf. Wir können Ihnen eine umfassende professionelle Lösung für Halbleiter-Ausrüstungen aus China sowohl für Front- als auch für Back-End-Bereiche bieten.

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