




Chipmaterial |
Si und andere |
Chipgröße |
dicke 0,3–30 mm: 0,05–1,0 [mm] |
Zufuhrmethoden |
2,4-Zoll-Tray (Waffeltray, Gel-Pak, Metalltray usw.) |
Substratmaterial |
SUS, Cu, Si, Werkstück, Keramik und andere |
Tablettenmengen |
2-Zoll-Tablett bis zu 8 oder 4-Zoll-Tablett bis zu 2; Tablett kann frei für Chip oder Substrat eingestellt werden. |
Äußere Abmessung des Substrats |
15~50 [mm] & 8 [Zoll] Wafer |
Substratdicken |
Flach geformte Basisplatte 0,1~3,0[mm]; Rohrförmige Bodenplatte: A:0,1~2[mm] B:≤5[mm], C:≤7[mm] Mindestabstand vom Chip zur Innenwand der Dose D: 21 mm |
UPH |
Ca. 12 [Sek/zyklus] [Bedingungen der Zykluszeit] |
Z-Achse |
Auflösung |
0,1[μm] |
|
Bewegungsbereich |
200[mm] |
||
Geschwindigkeit |
Max. 250[mm/sec] |
||
θ-Achse |
Auflösung |
0,000225[°] |
|
Bewegungsbereich |
±5[°] |
||
Chiphaltung |
Vakuumsaugmethode |
||
Rezepturwechsel |
ATC (automatischer Werkzeugwechsler) Methode Maximale Anzahl der zu wechselnden Spannmittel: 20x20[mm] 6 Typen *2 Typen bei 30x30[mm] (Option) verwendet. |
||
Einstellbereich |
Niedriger Lastbereich: 0,049 bis 4,9[N] (5 bis 500[g]) Hoher Lastbereich: 4,9 bis 1000 [N] (0,5 bis 102 [kg]) * Eine Lastregelung, die beide Bereiche abdeckt, ist nicht möglich. * Ultraschallhorn nur für den Hochlastbereich |
Druckgenauigkeit |
Niedriger Lastbereich: ±0,0098 [N] (1 [g]) Hoher Lastbereich: ±5 [%] (3σ) * Beide Genauigkeiten beziehen sich auf die tatsächliche Last bei RT |
Heizmethode |
Impulsheizverfahren (Keramikheizung) |
Eingestellten Temperaturen |
RT~450 [°C] (1 [°C] Schritt) |
Temperaturanstiegsgeschwindigkeit |
Max80[°C/sec] (ohne Keramikhalter) |
Temperaturverteilung |
+5[°C] (30x30[mm] Bereich) |
Kühlungsfunktion |
Mit Heizwerkzeug, Arbeitskühlungsfunktion |
Schwingungsfrequenz |
40[kHz] |
## Vibrationbereich |
Ungefähr 0,3 bis 2,6[µm] |
Heizmethode |
Konstante Heizmethode (Ultraschallsonotrode) |
Eingestellten Temperaturen |
RT~250[°C] (1[°C] Schritt) |
Werkzeuggröße |
M6 Werkzeugwechseltypen (Schraubtyp) *Muss auf den starren Typ für Chipgrößen über 7x7 [mm] geändert werden. |
Sonstige |
Muss durch Impulswärme-Kopf ersetzt werden. |
Montagefläche |
50×50 [mm] |
Heizmethode |
Ceramic Heater |
Eingestellten Temperaturen |
RT~450 [°C] (1 [°C] Schritt) |
Temperaturverteilung |
+5[°C] |
Temperaturanstiegsgeschwindigkeit |
Max. 70[°C/s] (ohne Keramikvorrichtung) |
Kühlungsfunktion |
Verfügbar |
Arbeitsstückhaltung |
Vakuumsaugmethode |
Rezepturwechsel |
Vorrichtungswechsel |
XY-Stufe |
Konstantheizung |
||
Stufe für Hauptbonding |
Montagefläche |
200×200 [mm] (48 [Zoll] Fläche) |
|
Heizmethode |
Konstante Wärme |
||
Eingestellten Temperaturen |
200×200 [mm]: RT bis 250[°C] (1[°C] Schritt) |
||
Temperaturverteilung |
±5 % (200×200 [mm]) |
||
Arbeitsstückhaltung |
Vakuumsaugmethode |
||
Rezepturwechsel |
Vorrichtungswechsel |
||



Copyright © Guangzhou Minder-Hightech Co., Ltd. Alle Rechte vorbehalten