Transistor Outline (TO) ist eine Art Transistorgehäuse, das die Ausbildung von Anschlüssen und die Oberflächenmontage ermöglicht.
Als verpacktes Gerät kann das Eindringen von Staub oder Feuchtigkeit unter nicht abgedichteten Bedingungen die Produktleistung beeinträchtigen, den optischen Pfad direkt verändern und letztendlich zu Fehlfunktionen führen. Daher ist die Lecktestung mittels Helium-Massenspektrometrie während der Produktion unerlässlich, da dabei die Dichtheit der Geräteabdichtung überprüft wird.
Aufgrund der geringen Größe verpackter Laserchip-Geräte und der Unfähigkeit, diese zu evakuieren oder direkt mit Helium zu befüllen, wird bei TO-Helium-Massenspektrometer-Lecktests typischerweise die Gegendruckmethode verwendet, eine einfache und zuverlässige Methode. Das TO-verpackte optische Gerät wird in einem Behälter bei einem bestimmten Druck platziert, und Helium wird eingeleitet, um es zu komprimieren. Nach einer vorgegebenen Druckhaltezeit wird das Gerät entnommen und in einen Vakuumbehälter (Lecktesttank) überführt, der mit einem Helium-Detektor verbunden ist, um die Leckageprüfung durchzuführen. Die automatische Prüfung bestätigt, ob das Gerät die Dichtheitsanforderungen des Gehäuses erfüllt.
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