Principalmente adequado para diversos materiais semicondutores, como silício, germânio, carbeto de silício, óxido de zinco, etc. O corte oculto (stealth dicing) é um método de corte que focaliza a luz laser no interior da peça de trabalho para formar uma camada modificada e divide a peça em chips por meio da expansão da película adesiva e de outros métodos. É adequado para wafers de 4 polegadas, 6 polegadas e 8 polegadas.













Tamanho do processamento |
12 polegadas, 8 polegadas, 6 polegadas, 4 polegadas |
Método de processamento |
Corte/corte traseiro |
Processamento de material |
Safira, Si, GaN e outros materiais frágeis |
Espessura do disco |
100-1000um |
Velocidade máxima de processamento |
1000/s |
Precisão de posicionamento |
1um |
Precisão de repetição de posicionamento |
1um |
Colapso da borda |
< 5um |
Peso |
2800 kg |


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