Sistema de Etching de Plasma acoplado Indutivamente (ICP) Equipamento Semicondutor , China Sistema de Etching de Plasma acoplado Indutivamente (ICP) Equipamento Semicondutor Manufacturers, Suppliers, Factory

Descrição do Produto

Sistema de gravação a plasma por acoplamento indutivo (icp)

A tecnologia de gravação iônica reativa com acoplamento indutivo é um tipo de RIE. Esta tecnologia consegue desacoplar a densidade iônica do plasma e a energia iônica controlando independentemente o fluxo iônico, melhorando assim a precisão e flexibilidade do processo de gravação.

Os produtos da série de alta densidade de etchagem reativa iônica acoplada indutivamente (ICP-RIE) são baseados em tecnologia de plasma acoplado indutivamente e destinam-se às necessidades de etchagem fina e de semicondutores compostos. Possui excelente estabilidade do processo e repetibilidade do processo, sendo adequado para aplicações em semicondutores de silício, optoeletrônica, informática e comunicações, dispositivos de energia e dispositivos de micro-ondas.

Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment details

Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment supplier

Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment factory

Materiais aplicáveis:

1. Materiais à base de silício: silício (Si), dióxido de silício (SiO2), nitreto de silício (SiNx), carbeto de silício (SiC)...

2. Materiais III-V: fosfeto de índio (InP), arsenieto de gálio (GaAs), nitreto de gálio (GaN)...

3. Materiais II-VI: telureto de cádmio (CdTe)...

4. Materiais magnéticos/materiais de liga

5. Materiais metálicos: alumínio (Al), ouro (Au), tungstênio (W), titânio (Ti), tântalo (Ta)...

6. Materiais orgânicos: resistência fotográfica (PR), polímero orgânico (PMMA/HDMS), filme fino orgânico...

7. Materiais ferroelétricos/fotoelétricos: niobato de lítio (LiNbO3)...

8. Materiais dielétricos: safira (Al2O3), quartzo...

Aplicações relacionadas:

1. Gravação de grades: utilizada para displays 3D, dispositivos microópticos, optoeletrônica etc.;

2. Gravação de semicondutores compostos: utilizada para LED, laser, comunicação óptica etc.;

3. Substrato de safira estruturado (PSS);

4. Gravação de niobato de lítio (LiNO3): detectores, optoeletrônica;

Resultado do processo

Gravação de quartzo/silício/grade

Usando máscara BR para gravar materiais de quartzo ou silício, o padrão de matriz de grade tem a linha mais fina até 300nm e a inclinação da parede lateral do padrão é próxima de > 89°, o que pode ser aplicado em exibição 3D, dispositivos ópticos microscópicos, comunicação optoeletrônica, etc

Gravação de compostos/semicondutores

O controle preciso da temperatura da superfície da amostra pode controlar bem a morfologia de etching de materiais baseados em GaN, GaAs, InP e metais. É adequado para dispositivos de LEDs azuis, lasers, comunicação óptica e outras aplicações.

Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment manufacture

Etching de material à base de silício

é adequado para etching de materiais baseados em silício, como Si, SiO2 e SiNx. Pode realizar etching de linhas de silício acima de 50nm e etching de buracos profundos em silício abaixo de 100um

Especificações

Configuração do projeto e diagrama da estrutura da máquina

Item	MD150S-ICP	MD200S-ICP	MD150CS-ICP	MD200CS-ICP	MD300C-ICP
Tamanho do Produto	≤6 polegadas	≤8 polegadas	≤6 polegadas	≤8 polegadas	Personalizado≥12polegadas
Fonte de energia SRF	0~1000W\/2000W\/3000W\/5000W Ajustável, correspondência automática\,13,56MHz\/27MHz
Fonte de energia BRF	0~300W\/0~500W\/0~1000W Ajustável, correspondência automática,2MHz\/13,56MHz
Bomba Molecular	Não corrosivo : 600 \/1300 (L\/s)\/Personalizado			Anti-corrosão:600 \/1300 (L.\/s)\/Personalizado		600\/1300(L\/s) \/Personalizado
Bomba Foreline	Bomba mecânica \/ bomba seca			Bomba seca anti corrosão		Bomba mecânica \/ bomba seca
Bomba de pré-bombeamento	Bomba mecânica \/ bomba seca			Bomba mecânica \/ bomba seca
Pressão do processo	Pressão não controlada \/ 0-0.1 \/ 1 \/ 10 Torr pressão controlada
Tipo de gás	H2 \/ CH4 \/ O2 \/ N2 \/ Ar \/ SF6 \/ CF4 \/ CHF3 \/ C4F8 \/ NF3 \/ NH3 \/ C2F6 \/ Personalizado (Até 12 canais, sem gases corrosivos e tóxicos)			H2 \/ CH4 \/ O2 \/ N2 \/ Ar \/ SF6 \/ CF4 \/ CHF3 \/ C4F8 \/ NF3 \/ NH3 \/ C2F6 \/ Cl2 \/ BCl3 \/ HBr \/ Personalizado (Até 12 canais)
Fogão a gás	0~5sccm \/ 50sccm \/ 100sccm \/ 200sccm \/ 300sccm \/ 500sccm \/ 1000sccm \/ Personalizado
LoadLock	Sim\/Não			Sim
Amostra tem controle	10°C~TemComodo/-30°C~150°C/Personalizado			-30°C~200°C/Personalizado
Resfriamento a hélio traseiro	Sim\/Não			Sim
Revestimento da cavidade de processo	Sim\/Não			Sim
Controle de temperatura da parede da cavidade	Não/TemComodo-60/120°C			TemComodo~60/120°C
Sistema de Controle	Automático/personalizado
Material de gravação	Base de silício: Si/SiO2/ SiNx/ SiC..... Materiais orgânicos: PR/Orgânico filme......			Base de silício: Si/SiO2/SiNx/SiC III-V: InP/GaAs/GaN...... IV-IV: SiC II-VI: CdTe...... Material magnético / material de liga Materiais metálicos: Ni/Cr/Al/Cu/Au... Materiais orgânicos: PR/Filme orgânico...... Etching profundo de silício

Embalagem e Entrega

Perfil da Empresa

Temos 16 anos de experiência em vendas de equipamentos. Podemos fornecer uma solução profissional completa para linhas de embalagem de semicondutores de frente e trás da China.

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