




Material do chip |
Si e outros |
Tamanho do chip |
espessura de 0,3~30 mm: 0,05 ~1,0 [mm] |
Métodos de fornecimento |
tray de 2,4 polegadas (tray tipo waffle, gel-pak, tray metálico etc.) |
Material de substrato |
SUS, Cu, Si, peça de trabalho, cerâmica e outros |
Quantidades de bandejas |
bandeja de 2 polegadas até 8, ou bandeja de 4 polegadas até 2; A bandeja pode ser configurada livremente para chip ou substrato. |
Tamanho externo do substrato |
15~50 [mm] e wafer de 8 [polegadas] |
Espessura do substrato |
Placa de base plana de 0,1~3,0[mm]; Placa inferior em formato tubular: A:0,1~2[mm] B:≤5[mm], C:≤7[mm] Distância mínima do chip até a parede interna do invólucro D: 21 mm |
UPH |
Aproximadamente 12 [seg/ciclo] [Condições do tempo de ciclo] |
Eixo Z |
Resolução |
0,1[μm] |
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Faixa móvel |
200[mm] |
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Velocidade |
Máx. 250[mm/s] |
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eixo θ |
Resolução |
0,000225[°] |
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Faixa móvel |
±5[°] |
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Fixação do chip |
Método de sucção a vácuo |
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Alteração de receita |
Método ATC (mudança automática de ferramenta) Número máximo de dispositivos a serem trocados: 20x20[mm] 6 tipos *2 tipos quando 30x30[mm] (opcional) usados. |
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Faixa de ajuste |
Faixa de baixa carga: 0,049 a 4,9[N] (5 a 500[g]) Alta faixa de carga: 4,9 a 1000 [N] (0,5 a 102 [kg]) * O controle de carga que abrange ambas as faixas não é possível. * O chifre ultrassônico é somente para a área de alta carga |
Precisão de pressão |
Faixa de baixa carga: ±0,0098 [N] (1 [g]) Alta faixa de carga: ±5 [%] (3σ) * Ambas as precisões são para a carga real em temperatura ambiente. |
Método de Aquecimento |
Método de pulso de calor (aquecedor cerâmico) |
Temperatura definida |
RT~450[°C] (1[°C] passo) |
Velocidade de elevação de temperatura |
Max80[°C/sec] (sem gabarito cerâmico) |
Distribuição de temperatura |
+5[°C] (área de 30x30[mm]) |
Função de resfriamento |
Com ferramenta de aquecimento, função de resfriamento do trabalho |
Frequência de oscilação |
40[kHz] |
Faixa de vibração |
Aproximadamente 0,3 a 2,6[µm] |
Método de Aquecimento |
Método de calor constante (chifre ultrassônico) |
Temperatura definida |
RT~250[°C] (passo de 1[°C]) |
Tamanho da ferramenta |
Tipos de substituição de ferramenta M6 (tipo parafuso) *Precisa ser alterado para o tipo rígido para tamanhos de chip maiores que 7x7 [mm]. |
Outros |
Precisa substituir pela cabeça térmica de pulso. |
Área de montagem |
50×50 [mm] |
Método de Aquecimento |
Ceramic Heater |
Temperatura definida |
RT~450[°C] (1[°C] passo) |
Distribuição de temperatura |
+5[°C] |
Velocidade de elevação de temperatura |
Máx. 70[°C/seg] (sem gabarito cerâmico) |
Função de resfriamento |
Disponível |
Fixação de Trabalho |
Método de sucção a vácuo |
Alteração de receita |
Troca de gabarito |
Estágio XY |
Aquecedor constante |
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Estágio para ligação principal |
Área de montagem |
200×200 [mm] (área de 48 [polegadas]) |
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Método de Aquecimento |
Calor constante |
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Temperatura definida |
200×200 [mm]: RT a 250[°C] (1[°C] de incremento) |
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Distribuição de temperatura |
±5% (200×200 [mm]) |
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Fixação de Trabalho |
Método de sucção a vácuo |
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Alteração de receita |
Troca de gabarito |
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