Removedor de Fotolito para Pastilhas em Lote, Tipo Tubular

Equipamento em lote para remoção de fotoresistência por RF em wafers

A aparência do equipamento está sujeita a atualizações e ajustes contínuos; o produto efetivamente enviado prevalece.

O MDST-3300 é um sistema de cinzalização por micro-ondas baseado em cassete de wafers, projetado para processamento em lote, destinado a aplicações como remoção de fotoresistência, descumming, limpeza de wafers, remoção de resíduos pós-processo úmido, limpeza de resíduos na superfície de wafers e remoção de resíduos pós-desenvolvimento. Elétrons livres em movimento geram plasma que atua sobre a fotoresistência nas superfícies dos wafers mantidos dentro do cassete de quartzo no interior da câmara. Um plasma contínuo e de alta densidade é gerado pela aplicação de energia de micro-ondas de 13,56 MHz às paredes da câmara de vácuo. A câmara acomoda cassetes de quartzo para wafers de 4 a 8 polegadas.

O MDST-2300 oferece limpeza por plasma rápida e isenta de danos. O sistema alcança esse efeito de limpeza por meio de reações químicas entre radicais ativados e a fotoresistência na superfície do wafer.

Princípio de funcionamento:

Um campo elétrico é aplicado ao gás de processo para ionizá-lo em plasma. Os componentes "ativos" do plasma incluem íons, elétrons, átomos, radicais livres, espécies em estado excitado (estados metastáveis) e fótons. O tratamento por plasma aproveita as propriedades desses componentes ativos para induzir reações físicas e químicas — tais como oxidação, redução, clivagem de ligações, reticulação e polimerização — alterando, assim, as características da superfície da amostra. Esse processo otimiza o desempenho superficial e alcança objetivos como limpeza, modificação superficial e remoção de resíduos.

Vantagens:

1. Fixações flexíveis para produtos acomodam wafers de formato irregular;

2. Plasma de baixa temperatura evita danos térmicos aos wafers;

3. Plasma eletricamente neutro evita danos elétricos aos wafers;

4. Saída de plasma de alta eficiência e uniforme garante remoção eficaz de fotoresist;

5. Alto grau de ionização e dissociação do plasma;

6. Processo de gravação a seco elimina fontes de contaminação;

7. Pressão e temperatura controladas por meio de válvula borboleta;

8. Capaz de manter o plasma em altas pressões de gás;

9. Fonte de alimentação de alta tensão separada do gerador de íons;

10. Compatível com configurações de acoplamento por micro-ondas e circuitos magnéticos.

Estrutura do produto:

O sistema de tratamento de superfície por plasma inclui principalmente três partes: câmara de vácuo e sistema de vácuo, gerador de radiofrequência e sistema de controle.

(A) Câmara de vácuo e sistema de geração de vácuo:

A câmara de vácuo está fixada no interior do quadro do gabinete, com portas destacáveis em ambos os lados, tornando extremamente conveniente a manutenção da câmara de vácuo interna e do sistema de vácuo. O sistema de geração de vácuo consiste principalmente em tubos corrugados, juntas KF e bombas de vácuo, tendo como componente central a bomba de vácuo (grupo de bombas de vácuo).

(B) Gerador de RF:

O gerador de RF está equipado com uma fonte de alimentação de 1000 W para gerar radiofrequência, e a energia de micro-ondas é injetada na câmara de quartzo de plasma por meio de um dispositivo de sintonia para formar o plasma.

(C) Sistema de controle:

Este sistema utiliza telas de exibição industriais, sistemas de controlo industrial de PC e design de interface chinês. Controle do processo do equipamento: bomba de vácuo inicia -> abre a válvula de defleção -> é atingido o grau de vácuo definido -> é introduzido gás de processo -> fonte RF gera RF -> energia RF é alimentada na câmara -> plasma é formado na câmara -> tempo de trabalho até que o vácuo seja O equipamento está disponível em dois modos: automático e manual.

Especificações do produto: