Aquecimento elétrico |
Câmara (Cavidade única) |
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N/A |
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Tipo de eletrodo inferior |
242mm |
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Faixa de Temperatura do Processo |
-20-100°C |
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Fonte de plasma |
600W-1000W |
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Tamanho do manômetro de processo |
100mtorr |
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Sistema de vácuo |
Unidades de bomba molecular, sistemas de bomba seca, câmara de processo |
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O número de câmaras de gravação |
Cavidade única |
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Parafusos de aperto |
Tipo |
Tamanho/mm |
Material |
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N/A |
8、6、4、3、2 |
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Detector de ponto final |
Opção |
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Plasma acoplado indutivamente |
Opção |
Material de gravação |
Si、Sio, Sin,Sau,Pt,Al |
Taxa de gravação |
>20nm/min (material Si02) As taxas de materiais diferentes não são as mesmas |
Controle distribuído |
>85° |
Método de carga |
Carregamento aberto |
Tubulação de gás controlada por MFC |
Seis tanques de gás estão disponíveis |
Opção de refrigeração com hélio na parte traseira |
Sim |
Interface homem-máquina |
Operação por tela sensível ao toque |
Modo de Operação |
Modo totalmente automático, modo não totalmente automático |
Seleção e configuração de dispositivos automatizados |
Você pode escolher entre peças importadas ou nacionais |
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