Corte láser invisible, como solución para el corte láser de wafer, evita eficazmente los problemas del corte con rueda abrasiva. El corte láser invisible se logra mediante la formación de un único pulso de láser pulsado a través de medios ópticos, permitiendo que pase a través de la superficie del material y se enfoque dentro del material. En la zona focal, la densidad de energía es alta, formando un efecto de absorción no lineal multiphotón, lo cual modifica el material para formar grietas. Cada pulso láser actúa a igual distancia, formando daños equidistantes para crear una capa modificada dentro del material. En la posición de la capa modificada, los enlaces moleculares del material se rompen y las conexiones del material se vuelven frágiles y fáciles de separar. Después del corte, el producto se separa completamente estirando la película portadora, creando espacios entre los chips. Este método de procesamiento evita el daño causado por el contacto mecánico directo y el enjuague con agua pura. Actualmente, la tecnología de corte láser invisible puede aplicarse a wafer de zafiro/vidrio/silicio y varios wafer de semiconductores compuestos.