Guangzhou Minder-Hightech Co.,Ltd.

Página de inicio
Acerca de Nosotros
MH Equipment
Solución
Usuarios en el extranjero
Video
Contáctenos
Inicio> PVD CVD ALD RIE ICP EBEAM
  • Sistema de Grabado por Iones Reactivos RIE
  • Sistema de Grabado por Iones Reactivos RIE
  • Sistema de Grabado por Iones Reactivos RIE
  • Sistema de Grabado por Iones Reactivos RIE
  • Sistema de Grabado por Iones Reactivos RIE
  • Sistema de Grabado por Iones Reactivos RIE
  • Sistema de Grabado por Iones Reactivos RIE
  • Sistema de Grabado por Iones Reactivos RIE
  • Sistema de Grabado por Iones Reactivos RIE
  • Sistema de Grabado por Iones Reactivos RIE
  • Sistema de Grabado por Iones Reactivos RIE
  • Sistema de Grabado por Iones Reactivos RIE

Sistema de Grabado por Iones Reactivos RIE

Descripción del Producto

Etching de iones reactivos (RIE)

La técnica de etching con iones reactivos (RIE) se puede utilizar para preparar estructuras micro-nano y es una de las tecnologías del proceso de fabricación de semiconductores. Durante el proceso de etching RIE, varios partículas activas en el plasma forman productos volátiles con la superficie del material. Estos productos son eliminados de la superficie del material, logrando finalmente un etching anisotrópico de microestructuras en la superficie del material. Los productos de la serie de etchadores con iones reactivos (RIE) están basados en tecnología de plasma acoplado capacitivamente de placa plana y son adecuados para el etching patrón de materiales de silicio como silicio monocristalino, silicio policristalino, nitruro de silicio (SiNy), óxido de silicio (SiO), cuarzo (Quartz) y carburo de silicio (SiC); pueden ser utilizados para el etching de patrones y descomposición de capas de materiales orgánicos como resistencia fotosensible (PR), PMMAHDMS y otros materiales; pueden ser usados para el etching físico de materiales metálicos como níquel (Ni), cromo (Cr) y materiales cerámicos; pueden ser empleados para el etching de materiales de fosfuro de indio (InP) a temperatura ambiente. Para algunos etchings con requisitos de proceso más altos, nuestro etching RIE por ICP también puede ser utilizado.

Configuración principal:

1. Tamaño de muestra soportado: 4, 8, 12 pulgadas, compatible con diversas muestras de pequeño tamaño, soporte para personalización
2. Rango de potencia de plasma RF: 300/500/1000 W opcional;
3. Bomba molecular: 620/1300 //s opcional, conjunto de bomba anti-corrosión opcional;
4. Bomba de vacío: bomba de aceite mecánica/bomba seca opcional;
5. Control de presión: 0 ~1 Torr opcional; también se puede seleccionar la configuración sin modo de control de presión,
6. Gas de proceso: se pueden equipar hasta 9 gases de proceso al mismo tiempo; temperatura: 10 grados ~ temperatura ambiente/-30 grados ~ temperatura ambiente/rango de temperatura personalizable,
7. Enfriamiento por helio posterior puede configurarse según la aplicación;
8. Forro anti-contaminación extraíble;
9. Cámara de carga opcional;
10. Sistema de control completamente automático con un solo botón;

Materiales aplicables a RIE:

1. Materiales a base de silicio: silicio (Si), dióxido de silicio (SiO2), nitruro de silicio (SiNx), carburo de silicio (SiC)
2. Materiales III-V: fosfuro de indio (InP), arseniuro de galio (GaAs), nitruro de galio (GaN)
3. Materiales II-VI: tellururo de cadmio (CdTe)
4. Materiales magnéticos/materiales de aleación
5. Materiales metálicos: aluminio (AI), oro (Au), wolframio (W), titanio (Ti), tántalo (Ta)
6. Materiales orgánicos: fotoresistente (PR), polímero orgánico (PMMA/HDMS), org

Aplicaciones Relacionadas con RIE:

1. Grabado de materiales a base de silicio, patrones de nanoimpronta, patrones de matriz y patrones de lente;
2. Grabado a temperatura ambiente de fosfuro de indio (InP), grabado patrón de dispositivos basados en InP para comunicaciones ópticas, incluidas estructuras de guía de onda, estructuras de cavidad resonante y estructuras de cresta;
3. Grabado de materiales SiC, adecuado para dispositivos de microondas, dispositivos de potencia, etc.;
4. El grabado físico por sputtering se aplica a ciertos metales, como el níquel (Ni), cromo (Cr), cerámicos y otros materiales que son difíciles de grabar químicamente, y se logra el grabado patrón de materiales mediante bombardeo físico;
5. Grabado de materiales orgánicos aplicado al grabado, limpieza y eliminación de materiales orgánicos como la resina fotosensible (Photo Resist), PMMA, HDMS, Polímero;
6. Grabado de descomposición para el análisis de fallas de chips (Failure Analysis-FA);
7. Grabado de materiales bidimensionales: materiales bidimensionales de W, Mo, grafeno;
Resultados de la aplicación:
Configuración del proyecto y diagrama de la estructura de la máquina
Artículo
MD150-RIE
MD200-RIE
MD200C-RIE
Tamaño del producto
≤6 pulgadas
≤8 pulgadas
≤8 pulgadas
Fuente de potencia RF
0-300W/500W/1000W Ajustable, emparejamiento automático
Bomba molecular
-620(L/s)/1300(L/s)/Personalizado
Antiséptico620(L/s)/1300(L/s)/Personalizado
Bomba Foreline
Bomba mecánica/bomba seca
Bomba seca
Presión de proceso
Presión no controlada/0-1Torr presión controlada
Tipo de gas
H/CH4/O2/N2/Ar/SF6/CF4/
CHF3/C4F8/NF3/Personalizado
(Hasta 9 canales, sin gases corrosivos y tóxicos)
H2/CH4/O2/N2/Ar/F6/CF4/ CHF3/C4F8/NF3/Cl2/BCl3/HBr(Hasta 9 canales)
Rango de gas
0~5sccm/50sccm/100sccm/200sccm/300sccm/500sccm/personalizado
CargaBloqueada
Sí/No
Control de temperatura de muestra
10°C~Temperatura ambiente/-30°C~100°C/Personalizado
-30°C~100°C/Personalizado
Enfriamiento con helio trasero
Sí/No
Forro de cavidad de proceso
Sí/No
Control de temperatura de la pared de la cavidad
No/Temperatura ambiente~60/120°C
Temperatura ambiente-60/120°C
Sistema de Control
Automático/personalizado
Material de grabado
A base de silicio: Si/SiO2/SiNx···
IV-IV: SiC
Materiales magnéticos/aleaciones
Material metálico: Ni/Cr/Al/Au.....
Material orgánico: PR/PMMA/HDMS/Orgánico
película......
A base de silicio: Si/SiO2/SiNx......
III-V (nota 3): InP/GaAs/GaN......
IV-IV: SiC
II-VI (nota 3): CdTe......
Materiales magnéticos/aleaciones
Material metálico: Ni/Cr/Al/Au......
Material orgánico: PR/PMMA/HDMS/película orgánica...
Fotos reales de laboratorios y fábricas
Embalaje y entrega
Perfil de la empresa
Minder-Hightech es el representante de ventas y servicio en el equipo de la industria de productos semiconductores y electrónicos. Desde 2014, la empresa está comprometida con proporcionar a los clientes Soluciones Superiores, Confiables y Todo en Uno para equipos de maquinaria.
Preguntas frecuentes
1. Acerca del Precio:
Todos nuestros precios son competitivos y negociables. El precio varía dependiendo de la configuración y la complejidad de personalización de tu dispositivo.

2. Acerca de la Muestra:
Podemos proporcionarte servicios de producción de muestras, pero es posible que debas cubrir algunos gastos.

3. Acerca del Pago:
Una vez confirmado el plan, necesitas pagar un depósito primero, y la fábrica comenzará a preparar los productos. Después de que el equipo esté listo y pagues el saldo, lo enviaremos.

4. Acerca de la Entrega:
Una vez que se completa la fabricación del equipo, te enviaremos el video de aceptación, y también puedes venir al lugar para inspeccionar el equipo.

5. Instalación y Ajuste:
Después de que el equipo llegue a tu fábrica, podemos enviar ingenieros para instalar y ajustar el equipo. Te proporcionaremos una cotización separada por este costo de servicio.

6. Acerca de la garantía:
Nuestro equipo tiene un período de garantía de 12 meses. Después del período de garantía, si alguna pieza está dañada y necesita ser reemplazada, solo cobraremos el precio de costo.

Consulta

Consulta Email WhatsApp Top
×

PONTE EN CONTACTO