Lazerli görünmez kesme, waferlerin lazerle kesilmesi için bir çözüm olarak, tezgah dilimi kesmenin getirdiği problemleri etkili bir şekilde önler. Lazerli görünmez kesme, tek bir lazer darbesini optik yollarla şekillendirerek, bu enerjiyi malzemenin yüzeyinden geçirebilir ve içine odaklayabilir. Odaklama bölgesinde, enerji yoğunluğu yüksek olup, çoklu foton emisyonu ile doğrusal olmayan emişyon etkisi oluşturur ve bu da malzemede çatlaklar meydana getirir. Her lazer darbesi eşit mesafelerde etki eder ve malzemenin iç kısmında düzenli hasarlar yaratarak bir değiştirme katmanı oluşturur. Değiştirme katmanının bulunduğu yerde, malzemenin moleküler bağları kırılır ve malzeme daha zayıf hale gelir ve ayrılmasına kolaylaşır. Kesildikten sonra, ürün taşıyıcı film gerilerek tamamen ayrılır ve bu da çipler arasında boşluklar oluşturur. Bu işleme yöntemi, doğrudan mekanik temas nedeniyle olan hasarı ve saf suyla yıkamayı önler. Şu anda, lazerli görünmez kesme teknolojisi, safir/görev/silisyum ve çeşitli bileşik yarı iletken waferlere uygulanabilir.