Guangzhou Minder-Hightech Co.,Ltd.

Домашняя страница
О нас
Оборудование MH
Решение
Зарубежные Пользователи
Видео
Связаться С Нами
Главная > Разрезание пластин / монтажный станок / расширитель
  • Система лазерной резки пластин Wafer Stealth
  • Система лазерной резки пластин Wafer Stealth
  • Система лазерной резки пластин Wafer Stealth
  • Система лазерной резки пластин Wafer Stealth
  • Система лазерной резки пластин Wafer Stealth
  • Система лазерной резки пластин Wafer Stealth
  • Система лазерной резки пластин Wafer Stealth
  • Система лазерной резки пластин Wafer Stealth
  • Система лазерной резки пластин Wafer Stealth
  • Система лазерной резки пластин Wafer Stealth
  • Система лазерной резки пластин Wafer Stealth
  • Система лазерной резки пластин Wafer Stealth

Система лазерной резки пластин Wafer Stealth

В основном подходит для различных полупроводниковых материалов, таких как кремний, германий, карбид кремния, оксид цинка и др. Скрытая резка (stealth dicing) — это метод резки, при котором лазерный луч фокусируется внутри заготовки для формирования модифицированного слоя, а разделение заготовки на чипы осуществляется за счёт растяжения клеящей плёнки и другими способами. Подходит для пластин диаметром 4 дюйма, 6 дюймов и 8 дюймов.

Описание товара

Система лазерной резки пластин Wafer Stealth

Лазерное невидимое резание, как решение для лазерного резания пластин, эффективно избегает проблем, связанных с нарезкой абразивным колесом. Лазерное невидимое резание достигается путем формирования одного импульса импульсного лазера с помощью оптических средств, что позволяет ему проходить через поверхность материала и фокусироваться внутри материала. В фокальной области плотность энергии высока, что приводит к многофотонному поглощению нелинейного эффекта поглощения, изменяющего материал и образующего трещины. Каждый лазерный импульс действует на равном расстоянии, создавая равномерные повреждения и формируя модифицированный слой внутри материала. В месте модифицированного слоя молекулярные связи материала разрушаются, и соединения материала становятся хрупкими и легко отделяющимися. После резки продукт полностью отделяется путем растяжения несущей пленки, создавая зазоры между чипами. Этот метод обработки избегает повреждений, вызванных прямым механическим контактом и промыванием чистой водой. На данный момент технология лазерного невидимого резания может быть применена к сапфиру/стеклу/силикону и различным сложным полупроводниковым пластинам.
Область применения
Оборудование для полной автоматической резки пластин лазером скрытого типа主要用于 обработки различных полупроводниковых материалов, таких как кремний, германий, карбид кремния, оксид цинка и т.д. Скрытая резка — это метод, при котором лазерный свет фокусируется внутри заготовки для формирования модифицированного слоя, а разделение заготовки на чипы происходит путем расширения клеевой пленки и других методов. Подходит для пластин диаметром 4 дюйма, 6 дюймов и 8 дюймов.
Особенность
Способы загрузки и выгрузки FFC включают извлечение материала, резку и возврат материала в исходное положение.
Многокамерное визуальное захватывание краев пластин и позиционирование по characteristic точкам, автоматическая подгонка и автофокусировка; Высокоточная движущая платформа.
Полностью автоматическая загрузка и выгрузка, стабильная и надежная оптическая система, высокоточный визуальный систем, высокая производительность обработки.
Программная система, простая в использовании и полностью функциональная.
Необязательный фокус: одинарный фокус, двойной фокус, множественный фокус (необязательно).
Структура продукта
Раскрой образцов
Аксессуар
Характеристики
Размер обработки
12 дюймов, 8 дюймов, 6 дюймов, 4 дюйма
Способ обработки
Резка/резка с обратной стороны
Обработка материала
Сапфир, Si, GaN и другие хрупкие материалы
Толщина пластины
100-1000мкм
Максимальная скорость обработки
1000/с
Точность позиционирования
1мкм
Точность повторного позиционирования
1мкм
Обваловка края
< 5мкм
Вес
2800 кг
Упаковка и доставка
Профиль компании
Minder-Hightech является представителем по продажам和服务 в области оборудования для полупроводниковой и электронной продукции. С 2014 года компания стремится предоставить клиентам Превосходные, Надежные и Комплексные Решения для оборудования.
Часто задаваемые вопросы
1. О цене:
Все наши цены конкурентоспособны и подлежат переговорам. Цена варьируется в зависимости от конфигурации и сложности кастомизации вашего устройства.

2. О пробе:
Мы можем предоставить услуги производства проб, но вы можете оплатить некоторые сборы.

3. Оплата:
После подтверждения плана вам нужно сначала внести предоплату, а завод начнёт готовить товар. После того как оборудование будет готово, и вы оплатите остаток, мы отправим его.

4. Доставка:
После завершения производства оборудования мы отправим вам видео приёма, и вы также можете приехать на площадку для проверки оборудования.

5. Монтаж и настройка:
После того как оборудование прибудет на ваш завод, мы можем направить инженеров для установки и настройки оборудования. Мы предоставим вам отдельную котировку за эту плату за услугу.

6. О гарантии:
Наше оборудование имеет гарантийный период 12 месяцев. После гарантийного периода, если какие-либо детали повреждены и требуют замены, мы будем взимать только стоимость запчастей.

Запрос

Запрос Email Whatsapp WeChat
Вверх
×

Свяжитесь с нами