Guangzhou Minder-Hightech Co.,Ltd.

Домашняя страница
О нас
Оборудование MH
Решение
Зарубежные Пользователи
Видео
Связаться С Нами
Главная> PVD CVD ALD RIE ICP EBEAM
  • Система травления в индуктивно-связанной плазме (ICP)
  • Система травления в индуктивно-связанной плазме (ICP)
  • Система травления в индуктивно-связанной плазме (ICP)
  • Система травления в индуктивно-связанной плазме (ICP)
  • Система травления в индуктивно-связанной плазме (ICP)
  • Система травления в индуктивно-связанной плазме (ICP)
  • Система травления в индуктивно-связанной плазме (ICP)
  • Система травления в индуктивно-связанной плазме (ICP)
  • Система травления в индуктивно-связанной плазме (ICP)
  • Система травления в индуктивно-связанной плазме (ICP)
  • Система травления в индуктивно-связанной плазме (ICP)
  • Система травления в индуктивно-связанной плазме (ICP)
  • Система травления в индуктивно-связанной плазме (ICP)
  • Система травления в индуктивно-связанной плазме (ICP)
  • Система травления в индуктивно-связанной плазме (ICP)
  • Система травления в индуктивно-связанной плазме (ICP)

Система травления в индуктивно-связанной плазме (ICP)

Связанные приложения:

1. Травление решетки: используется для 3D-дисплеев, микрооптических устройств, оптоэлектроники и т. д.;

2. Травление составных полупроводников: используется для светодиодов, лазеров, оптической связи и т. д.;

3. Сапфировая подложка со структурой (PSS);

4. Травление ниобата лития (LiNO3): детекторы, оптоэлектроника;

Система травления с индуктивно связанной плазмой (icp)

Индуктивно связанная технология реактивного ионного травления является разновидностью RIE. Эта технология достигает разделения плотности ионов плазмы и энергии ионов путем независимого контроля потока ионов, тем самым улучшая точность и гибкость процесса травления.

Серия продуктов с высокой плотностью индуктивно связанной реактивной ионной травления (ICP-RIE) основана на технологии индуктивно связанной плазмы и предназначена для точного травления и травления композитных полупроводников. Обладает отличной стабильностью процесса и воспроизводимостью, подходит для применения в кремниевых полупроводниках, оптоэлектронике, информационных и коммуникационных технологиях, силовых устройствах и микроволновых устройствах.

Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment details
Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment supplier
Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment factory

Применяемые материалы:

1. Материалы на основе кремния: кремний (Si), диоксид кремния (SiO2), нитрид кремния (SiNx), карбид кремния (SiC)...

2. Материалы III-V группы: фосфид индия (InP), арсенид галлия (GaAs), нитрид галлия (GaN)...

3. Материалы II-VI группы: теллурид кадмия (CdTe)...

4. Магнитные материалы/сплавы

5. Металлические материалы: алюминий (Al), золото (Au), вольфрам (W), титан (Ti), тантал (Ta)...

6. Органические материалы: фоторезист (PR), органический полимер (PMMA/HDMS), органическая тонкая пленка...

7. Ферроэлектрические/оптоэлектронные материалы: ниобат лития (LiNbO3)...

8. Диэлектрические материалы: сапфир (Al2O3), кварц...

Связанные приложения:

1. Травление решетки: используется для 3D-дисплеев, микрооптических устройств, оптоэлектроники и т. д.;

2. Травление составных полупроводников: используется для светодиодов, лазеров, оптической связи и т. д.;

3. Сапфировая подложка со структурой (PSS);

4. Травление ниобата лития (LiNO3): детекторы, оптоэлектроника;

Результат процесса

Травление кварца / кремния / решетки

Использование маски BR для травления материалов из кварца или кремния, узор решетчатого массива имеет минимальную линию до 300 нм, а крутизна боковой стенки узора приближается к > 89°, что может быть применено в 3D-дисплеях, микрооптических устройствах, оптоэлектронной связи и т.д.
Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment factory

Травление соединений / полупроводников

Точное управление температурой поверхности образца позволяет эффективно контролировать морфологию травления материалов на основе GaN, GaAs, InP и металлов. Подходит для синих светоизлучающих диодов, лазеров, оптической связи и других приложений.
Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment manufacture

Травление на основе кремния

подходит для травления материалов на основе кремния, таких как Si, SiO2 и SiNx. Может выполнять линейное травление кремния более 50 нм и глубокое отверстие кремния менее 100 микрон
Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment factory
Спецификация
Конфигурация проекта и схема конструкции машины
Предмет
MD150S-ICP
MD200S-ICP
MD150CS-ICP
MD200CS-ICP
MD300C-ICP
Размер продукта
≤6 дюймов
≤8 дюймов
≤6 дюймов
≤8 дюймов
На заказ ≥12дюймов
Источник питания SRF
0~1000Вт/2000Вт/3000Вт/5000Вт Настройка, автоматическое сопоставление\, 13.56МГц/27МГц
Источник питания BRF
0~300Вт/0~500Вт/0~1000Вт Настройка, автоматическое сопоставление, 2МГц/13.56МГц
Молекулярный насос
Нестойкий к коррозии: 600/1300 (л/с)/На заказ
Противокоррозийный: 600/1300 (л/с)/На заказ
600/1300 (л/с)/На заказ
Вакуумный насос
Механический насос / сухой насос
Противокоррозионный сухой насос
Механический насос / сухой насос
Насос предварительной эвакуации
Механический насос / сухой насос
Механический насос / сухой насос
Процессное давление
Неконтролируемое давление/0-0.1/1/10Torr контролируемое давление
Тип газа
H2/CH4/O2/N2/Ar/SF6/CF4/
CHF3/C4F8/NF3/NH3/C2F6/По запросу
(До 12 каналов, без коррозийных и токсичных газов)
H2/CH4/O2/N2/Ar/SF6/CF4/CHF3/ C4F8/NF3/NH3/C2F6/Cl2/BCl3/HBr/
По запросу (До 12 каналов)
Газовая диапазона
0~5sccm/50sccm/100sccm/200sccm/300sccm/500sccm/1000sccm/По запросу
LoadLock
Да\/Нет
Да
Управление температурой образца
10°C~Комнатнаятемпературa/-30°C~150°C/По запросу
-30°C~200°C/По запросу
Обратное охлаждение гелием
Да\/Нет
Да
Облицовка процессуальной камеры
Да\/Нет
Да
Контроль температуры стенок камеры
Нет/Комнатная температура-60/120°C
Комнатная температура~60/120°C
Система управления
Автоматический/По запросу
Этching материал
На основе кремния: Si/SiO2/
SiNx/ SiC.....
Органические материалы: PR/Органика
пленка......
На основе кремния: Si/SiO2/SiNx/SiC
III-V: InP/GaAs/GaN......
IV-IV: SiC
II-VI: CdTe......
Магнитный материал / сплавной материал
Металлические материалы: Ni/Cr/Al/Cu/Au...
Органические материалы: PR/Органическая пленка......
Глубокая этching кремния
Упаковка и доставка
Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment supplier

Часто задаваемые вопросы

1. О цене:

Все наши цены конкурентоспособны и подлежат переговорам. Цена варьируется в зависимости от конфигурации и сложности кастомизации вашего устройства.

 

2. О пробе:

Мы можем предоставить услуги производства проб, но вы можете оплатить некоторые сборы.

 

3. О платеже:

После подтверждения плана вам нужно сначала внести предоплату, а завод начнёт готовить товар. После того как оборудование будет готово, и вы оплатите остаток, мы отправим его.

 

4. Доставка:

После завершения производства оборудования мы отправим вам видео приёма, и вы также можете приехать на площадку для проверки оборудования.

 

5. Монтаж и настройка:

После того как оборудование прибудет на ваш завод, мы можем направить инженеров для установки и настройки оборудования. Мы предоставим вам отдельную котировку за эту плату за услугу.

 

6. О гарантии:

Наше оборудование имеет гарантийный период 12 месяцев. После гарантийного периода, если какие-либо детали повреждены и требуют замены, мы будем взимать только стоимость запчастей.

 

7. Сервисное обслуживание:

Все машины имеют гарантийный срок более одного года. Наши технические инженеры всегда онлайн и готовы предоставить вам услуги по установке, настройке и обслуживанию оборудования. Мы можем предоставить услуги по установке и настройке оборудования на месте для специального и крупногабаритного оборудования.

Запрос

Запрос Email Whatsapp WeChat
Вверх
×

Свяжитесь с нами