Пробник пластины с высокой и низкой температурой в вакууме , China Пробник пластины с высокой и низкой температурой в вакууме Manufacturers, Suppliers, Factory

Введение в продукт

Станция зондирования серии MDSM-VP-CG может обеспечить тестирование характеристик IV/CV, ВЧ-тестирование, фотоэлектрические испытания, электромагнитные транспортные характеристики и тестирование эффекта Холла для анализа устройств и материалов в условиях сверхвысокого вакуума, а также при высоких и низких температурах.

Установка таких компонентов, как вакуумная камера и экран радиационной защиты, совместно с интегрированными возможностями высокой и низкой температуры, вакуума и другими условиями тестирования позволяет эффективно создавать стабильную испытательную среду для полупроводниковых устройств.

Особенности продукта

1. Поддержка диапазона температур от 4,2 К до 473 К

2. Конструкция антирадиационного экрана для повышения равномерности и точности температуры образца

3. Конструкция теплоотвода зонда для обеспечения точного позиционирования зонда

4. Возможность модернизации для подключения магнитного поля

5. Гибкая и масштабируемая конфигурация тестовых приложений

6. Автоматическое управление потоком хладагента, автоматическое точное управление температурой

Параметры продукта

Модель		MDSM-VP-CG-O-2	MDSM-VP-CG-O-4	MDSM-VP-CG-C-2
Чак	Размер	2дюйм	4 дюйма	2дюйм
	Метод фиксации образца	Вакуумная термопроводящая паста/пружинный зажим
	Степень вакуума	максимальный вакуум 10^-10 торр
Оптический свойства	Ход микроскопа	Ось R 360 ° + подвижная ось 100 мм
	Усиление	Масштабирование: 7:1, разрешение 4 мкм (увеличение 216X) или металлографический микроскоп (20X~1000X)
	Размеры окно наблюдения	2дюйм	4 дюйма	2дюйм
Температура контроль характеристики	Пиксели CCD	50Вт (симуляция)/200 Вт (цифровой)/500 Вт (цифровой)
	Метод охлаждения	Жидкий азот/жидкий гелий		Холодильные компрессоры
	Метод управления	Ручное/автоматическое регулирование потока хладагента с открытым циклом		Автоматическое управление с замкнутым циклом
	Запас хода	77 К ~ 473 К/4,2 К ~ 473 К		7,3 К ~ 473 К
	Разрешение	0,001 К
	Стабильность	4,2 К ±0,2 К при 77 К±0,1 К, 373 К±0,08 К, 473 К±0,1 К
Спецификация зонда	Номер датчика	Количество различных зондов может быть расширено до 6
	Регулировка зонда	Внешняя регулировка вакуумного сильфона, ручное управление
	Точность точки	2мкм
	Ток утечки	1 пА/В @25 ℃，100 фА/В @25℃
	Тип разъема	Трехосный/SMA/K/Оптоволоконный интерфейс