Guangzhou Minder-Hightech Co.,Ltd.

Головна сторінка
Про нас
Обладнання MH
Відео випадку
Рішення
Заграничні Користувачі
Зв'язатися з нами
Головна> Прилад для монтажу кристалів
  • Субмікронний багатофункціональний пристрій для приклеювання кристалів
  • Субмікронний багатофункціональний пристрій для приклеювання кристалів
  • Субмікронний багатофункціональний пристрій для приклеювання кристалів
  • Субмікронний багатофункціональний пристрій для приклеювання кристалів
  • Субмікронний багатофункціональний пристрій для приклеювання кристалів
  • Субмікронний багатофункціональний пристрій для приклеювання кристалів
  • Субмікронний багатофункціональний пристрій для приклеювання кристалів
  • Субмікронний багатофункціональний пристрій для приклеювання кристалів

Субмікронний багатофункціональний пристрій для приклеювання кристалів

Застосування: Збирання мікроелементів, процес відклеювання спеціалізованих матеріалів, фотодіоди

Приклеювання кристалів, упакування та приклеювання високоякісних кристалів, приклеювання лазерних планок

Лазерне приклеювання, різні типи ультрависокоточного мікроскопічного збирання, збирання високоякісних пристроїв

Багатофункціональний субмікронний пристрій для з’єднання кристалів — це високопродуктивна система, призначена для процесів мікрозбірки та з’єднання на етапі розробки технологій у лабораторних умовах. Вона підтримує широке коло застосувань: з’єднання кристалів із підкладками-радіаторами та з’єднання кристалів із пластиною, збірку мініатюрних компонентів, з’єднання лазерних діодів, упакування високоякісних пристроїв та чіпів, надвисокоточну мікрозбірку, збірку фотодіодів, з’єднання лазерних планок, а також роз’єднання спеціалізованих матеріалів; є незамінним інструментом для експериментальних наукових досліджень та розробок у різних галузях.

Застосування:

Збирання мікроелементів, процес відклеювання спеціалізованих матеріалів, фотодіоди

Приклеювання кристалів, упакування та приклеювання високоякісних кристалів, приклеювання лазерних планок

Лазерне приклеювання, різні типи ультрависокоточного мікроскопічного збирання, збирання високоякісних пристроїв

З’єднання кристалів із підкладками-радіаторами:

1-2.png

З’єднання кристалів із пластиною

1-3.png

Основні переваги:

  1. Високоякісне розділення зображення;
  2. Економічно вигідні рішення та застосування;
  3. Надзвичайно ефективна післяпродажна технічна підтримка.

Технологія:

  1. Евтектичне з'єднання за допомогою імпульсного нагріву нижньої платформи;
  2. Дозування та занурення (УФ-отверджувальні клеї, термореактивні клеї, срібна паста тощо);
  3. Термокомпресійне з'єднання з температурним профілюванням нагріву насадки для розміщення (для AuSn, наперед виготовлених припоїв тощо);
  4. УФ-отвердження (ультрафіолетове опромінення);
  5. Ультразвукове з'єднання золотих виступів у технології flip-chip.

Особливості:

  1. Візуальна система позиціонування з замкненим контуром і точністю ±0,5 мкм
  2. Модульна конструкція та високорівнева системна інтеграція; окремі модулі можна додавати за потребою для забезпечення різноманітних складних процесів і застосувань
  3. Модулі розміщення підкладок та насадки для підйому чіпів підтримують різноманітні розміри, що усуває необхідність частого замінювання компонентів
  4. Висока точність та виняткова стабільність зберігаються постійно протягом тривалого часу роботи
  5. Моніторинг процесу в реальному часі та чітка, інтуїтивно зрозуміла візуалізація роблять експлуатацію надзвичайно простою й зручною

Модулі конфігурації / Додаткові модулі застосування

  1. Оптична система
  2. Обчислювальний пристрій
  3. Пристрій ультрафіолетового опромінення
  4. Фіксація з точним регулюванням за осями XYZ
  5. Високоточна мармурова платформа
  6. Збірка бічної камери
  7. Робоча рама з поглинутою вібрацією
  8. Система екранування інертним газом

1-5.png

  1. Вакуумна та пневматична система
  2. Прилади керування тиском
  3. Підтримка модулів ультразвукового термокомпресійного зварювання
  4. Верхній нагрівальний блок/сопло
  5. Контролер дозувального модуля
  6. Дозувальний модуль з боковим розташуванням
  7. Контролер постійної температури
  8. Контролер імпульсного нагріву

1-6.png

Технічні параметри:

Параметр

СПЕЦ

Точність розміщення

До ±0,5 мкм (діапазон точності вибирається за допомогою параметрів конфігурації)

Розмір чіпа

0.05 мм від 0,05 мм до 100 мм × 100 мм (діапазон розмірів кристалів/чіпів вибирається за допомогою параметрів конфігурації)

Розмір субстрату

0.05 мм від 0,05 мм до 300 мм × 300 мм (діапазон розмірів підкладок вибирається за допомогою параметрів конфігурації)

Температура

До 500 °C (метод нагріву та діапазон температур вибираються за допомогою параметрів конфігурації)

Сила з'єднання

0,05 Н до 5000 Н (діапазон зусилля зчеплення вибирається за допомогою параметрів конфігурації)

Опційні конфігурації:

1. Традиційне термокомпресійне зчеплення — вимагає модулів, таких як: стандартні необігрівальні сопла для підйому, модулі нагріву з керуванням температурним профілем та модулі високої точності для створення тиску.

2. Стандартне зчеплення кристалів (без нагріву) — вимагає модулів, таких як: стандартні необігрівальні сопла для підйому та модулі високої точності для створення тиску.

3. Зчеплення кристалів із дозуванням епоксидної смоли — вимагає модулів, таких як: стандартні необігрівальні сопла для підйому, ручні модулі дозування та модулі високої точності для створення тиску.

4. Ультразвукове золото-кулькове зчеплення — вимагає модулів, таких як: стандартні необігрівальні сопла для підйому, ультразвукові модулі та модулі високої точності для створення тиску.

5. Зчеплення кристалів у режимі роз’єднання — вимагає модулів, таких як: універсальні самовирівнювальні сопла для підйому, модулі нагріву з керуванням температурним профілем та модулі високої точності для створення тиску.

Запит

Запит Електронна пошта WhatsApp WeChat
Угору
×

Зв’язатися з нами