Მოდელი: MDVES200
Გამოყენების სფერო:
IGBT მოდულები, TR კომპონენტები, MCM, ჰიბრიდული წირების პაკეტები, დისკრეტული მოწყობილობის პაკეტები, სენსორი/MEMS პაკეტები (წყალით გამაცილებული), მაღალ ძალის მოწყობილობის პაკეტები, ოპტოელექტრონული მოწყობილობის პაკეტები, ჰერმეტიზებული პაკეტები (წყალით გამაცილებული), ევტექტიკური ბუმპის შეკრულება და ა.შ.
Ვაკუუმური ევტექტიკური რეфლოუ ღუმელი — ეს არის მოწყობილობა, რომელიც იყენებს ვაკუუმური გახურების პრინციპს ელექტრონული კომპონენტების შენადნობის სოლდერის პროცესის გარემოს უზრუნველყოფად.


Შესავალება:
MDVES200 ვაკუუმული სინტერინგის ფურნის დიზაინის ბაზა არის ვაკუუმი და წყალის გამოთხილების კონტროლი, რაც არ მხოლოდ უზრუნველყოფს ცარიელი მაჩვენებლების პროცენტს, არამედ ამაღლებს გამოთხილების სიჩქარეს.
Სტანდარტული გაზი MDVES200-ისთვის შედგება: აზოტი, აზოტ-ჰიდროგენის მიღებული გაზი (95%/5%) და ფორმიკური მჟავი. მომხმარებელი არჩევს შესაბამის გაზს პროცესის გასართოლად თავის ფაქტიურ მდგომარეობის მიხედვით, და არ უნდა ვეროვნების დამატებითი კონფიგურაციაზე. მოწყობილობის PLC კონტროლური სისტემა ძალიან კარგად მონიტორингის გაკეთებს ვაკუუმის გამოტანის, გავლენის, გათბობის კონტროლისა და წყლის გამოსათხოვნელის მűმ Gaussian.
MUX200 არის 10L გარი, პროდუქტის ღირებულების მარტივობა საშიშია, რაც შესაძლებლობას აძლევს კლიენტებს კვლევისა და წარმოების საჭიროებების მორგებას.
Გამოყენების სფერო:
IGBT მოდულები, TR კომპონენტები, MCM, ჰიბრიდული წირების პაკეტები, დისკრეტული მოწყობილობის პაკეტები, სენსორი/MEMS პაკეტები (წყალით გამაცილებული), მაღალ ძალის მოწყობილობის პაკეტები, ოპტოელექტრონული მოწყობილობის პაკეტები, ჰერმეტიზებული პაკეტები (წყალით გამაცილებული), ევტექტიკური ბუმპის შეკრულება და ა.შ.
1. MDVES200 არის ღირებულების მარტივი პროდუქტი პატარა ფუტპრინტით და სრული ფუნქციებით, რომლებიც შეძლებს კლიენტების R&D-სა და პირველი წარმოების გამოყენებას;
2. ფორმიკური მჟავის, აზოტის და აზოტ-ჰიდროგენის გაზის სტანდარტული კონფიგურაცია შეიძლება მომხმარებლის განსხვავებული პროდუქტების გაზის მოთხოვნას მოთხოვნას დასაკმარისია, არ არის განვითარების გაზის მაგიდის დამატების მომავალი მაგიდი;
3. წყლით გაცივების მართვის გამოყენებით შეიძლება გაიზარდოს გაცივების სიჩქარე, რაც საშუალებას აძლევს გაზრდას წარმოების სიჩქარეში და მაქსიმიზაციას წარმოებაში; 4. როდესაც მომხმარებელი მიმართავს მილის საშუალებით ვაკუუმის დასელებას, წყლით გაცივების დიზაინი გამოირჩევა თავისი უპირატესობებით და თავის არიდებს მილის ფურცელსა და მილის საშუალებით გამოწვეულ ჰაერით გაცივებას და მილის საშუალებით გამოწვეულ პრობლემას;
Სტრუქტურის ზომები | |
Ძირითადი ფრეიმი |
820*820*1000mm |
კავიტეტის მოცულობა |
10 ლ |
Ძირის მაქსიმალური სიმაღლე |
110მმ |
Მონაცემთა ფენტრი |
მოიცავს |
Წონა |
220 კგ |
Ვაკუუმის სისტემა | |
Ვაკუუმური პუმპა |
Ვაკუუმური გამჭვირველი მასლის გაფილტრების საშუალებით |
Ვაკუუმის დონე |
Მაქსიმუმ 5Pa |
Ვაკუუმის კონფიგურაცია |
1. ვაკუუმის პუმპა 2. ელექტრო ვალვი |
Გადასაჭრის სიჩქარის მართვა |
Ვაკუუმური პუმპის გამოსატუმბად სიჩქარე შეიძლება დაყენდეს მთავარი კომპიუტერის პროგრამული უზრუნველყოფით |
Პნევმატური სისტემა | |
Პროცესური გაზი |
N2, N2/H2 (95%/5%), HCOOH |
Პირველი გაზის გზა |
Აზოტი/აზოტ-ჰიდროგენის მიშენება (95%/5%) |
Მეორე გაზის გზა |
HCOOH |
Გარმოსახალი და გამყარების სისტემა | |
Გათბობის მეთოდი |
Რადიაციული გარმოსახალი, კონტაქტული კონდუქცია, გარმოსახალის სიჩქარე 150℃/min |
Გაგრილების მეთოდი |
Კონტაქტული გამყარება, მაქსიმალური გამყარების სიჩქარე 120℃/min |
Გარმოსახალის მასალა |
სპილენძის შენადნობი, თბილოგამტარობა: ≥200 ვტ/მ·°ც |
Გარმოსახალის ზომა |
240*210mm |
Გარმოსახალის აპარატურა |
Გახურების მოწყობილობა: გამოიყენება ვაკუუმური გახურების მილი; ტემპერატურა იკრიბება სიემენსის PLC მოდულით, ხოლო PID კონტროლი ხორციელდება მთავარი კომპიუტერის მეშვეობით (Advantech). |
Ტემპერატურის დიაპაზონი |
Მაქს. 400°ც |
Ძალის მოთხოვნები |
380V, 50/60HZ სამკონტაქტიანი, მაქსიმუმ 40A |
Კონტროლის სისტემა |
Siemens PLC + IPC |
Აპარატურის ძალა | |
Გაგრილებელი სითხე |
Ანტიგელი ან დისტილირებული წყალი ≤20℃ |
Წნევა: |
0.2~0.4Mpa |
გამყის სიჩქარე |
>100L/мин |
Წყალის ტანკის მოცულობა |
≥60L |
Შესავალის წყალის ტემპერატურა |
≤20℃ |
Ჰავას წყარო |
0.4MPa≤ ჰაერის წნევა ≤0.7MPa |
Ძაბვის მომარაგების ბლოკი |
ერთფაზიანი სამხრის სისტემა 220V, 50Hz |
Ვოლტაჟის განსხვავების დიაპაზონი |
ერთფაზიანი 200~230V |
Სიხშირის განსხვავების დიაპაზონი |
50HZ±1HZ |
Მოწყობილობის ღერ Gaussian |
დაახლოებით 5 კვტ; გრუნდირების წინაღობა ≤4 ომი; |
Სტანდარტული კონფიგურაცია
Ძირითადი სისტემა |
შემოკლებული ვაკუუმური აუზით, ძირითადი ფრეიმი, კონტროლის ჰარდვერი და სოფტვერი |
Აზოტის მაგისტრალი |
Როგორც პროცესური gas-ისთვის შეიძლება იყენებოდეს აზოტი ან აზოტი/ჰიდროგენის მიღება |
Ფორმიკ მჟავი მაგისტრალი |
Formic acid-ის ჩატარება process chamber-ში აზოტის გამოყენებით |
Წყალის გამყარების მაგისტრალი |
верхнего чехла, нижней полости и нагревательной пластины გამყარება |
Წყლის გამაგრილებელი |
Გამოსახატი წყალის გამყარების წნევის მუშაობა აპარატში |
Ვაკუუმური პუმპა |
Ვაკუუმური გადაჭრივი სისტემა მასლის ფილტრაციით |
Operational Conditions
Температура |
10~35℃ |
Ურთიერთობრივი ტენიანობა |
≤80% |
|
Მოწყობილობის გარშემო გარემო სუფთა და მოწესრიგებულია, ჰაერი სუფთაა და არ უნდა იყოს საელექტრო მოწყობილობებისა და სხვა ლითონის ზედაპირების კოროზიის ან ლითონებს შორის გამტარობის გამოწვევი მტვერი ან აირი. | |
Საავტორო უფლება © Guangzhou Minder-Hightech Co.,Ltd. ყველა უფლება დაცულია