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  • Wafer semiconduttore Etching del carburo di silicio RIE Etching a Ioni Reattivi Plasma Rimozione della fotoresistenza Macchina
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Descrizione del Prodotto

Macchina di rimozione photoresist Plasma RIE

Macchina di rimozione photoresist Plasma RIE adatta per l'etching del carburo di silicio, rimozione dei residui superficiali, etching dell'ossido di silicio o del nitruro di silicio, ecc. La camera è adatta per campioni da 4-8 pollici
Etching del carburo di silicio
Pulizia superficiale dopo l'etching
DESCUM
Strato di maschera dura, rimozione secca
Etching dell'ossido di silicio o del nitruro di silicio
Rimozione della resistenza ottica tra i media
Rimozione dei residui di superficie
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Specifiche
Fonte di plasma
RF
Potenza
ICP
_
BIAS
1000W(opzione)
Ambito applicabile
4~8 inch
Conteggio delle fette da elaborare singolarmente
1
Dimensioni di aspetto
850mmx900mmx1850mm
Controllo del sistema
PLC
Livello di automazione
Manuale
Stabilimento
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Imballaggio & consegna
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Profilo dell'azienda
16 anni di esperienza nell'esportazione di attrezzature! Possiamo fornirvi una soluzione completa per i processi e le attrezzature della Front End dei Semiconduttori!
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