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Pulizia di Wafer Semiconduttore dopo l'Incisione ICP Plasma Sperimentale per la Rimozione di Fotoresist

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Descrizione del Prodotto

Macchina sperimentale plasma ICP per rimozione fotoresist

Rimozione di polimeri, etching di ossido di silicio o carburo di silicio, pulizia della superficie dopo l'etching
Rimozione di polimeri ASHING Rimozione secca della maschera dura Rimozione della fotoresistenza dopo l'implantazione ionica Rimozione della resistenza ottica tra i media Rimozione della fotoresistenza nel processo BAW/SAW Pulizia secca del film grafico antiriflesso Etching dell'ossido o nitruro di silicio Rimozione dei residui superficiali Pulizia della superficie dopo l'etching Etching del carburo di silicio
Clean Semiconductor Wafer after Etching ICP Experimental Plasma Removing Photoresist Machine supplier
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Clean Semiconductor Wafer after Etching ICP Experimental Plasma Removing Photoresist Machine manufacture
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Specifiche
Fonte di plasma
RF+BIAS
Potenza
1000W
1000W
600 W
600 W
Ambito applicabile
4-8 inches
Conteggio delle fette da elaborare singolarmente
uno
Dimensioni di aspetto
1140mm x 1050mm x 1620mm
Controllo del sistema
Sistema di Controllo Industriale
Livello di automazione
Manuale
Stabilimento
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Imballaggio & consegna
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Profilo dell'azienda
16 anni di esperienza nell'esportazione di attrezzature! Possiamo fornirvi una soluzione completa per i processi e le attrezzature della Front End dei Semiconduttori!
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