Modello: MDST3100 / MDST3200
Rimozione secca del fotoresist mediante plasma ICP
Il sistema di rimozione secca del fotoresist mediante plasma ICP è utilizzato principalmente per la rimozione di polimeri, l’ashing, la descumming, la rimozione del fotoresist successiva all’implantazione ionica e la pulizia dei residui superficiali. La camera MDST3100 accoglie campioni da 4 a 8 pollici con capacità di lavorazione monosilicio, mentre la camera MDST3200 accoglie campioni da 4 a 8 pollici con capacità di due silici per lotto.
L'aspetto dell'attrezzatura è soggetto a continui aggiornamenti e aggiustamenti; il prodotto effettivamente spedito fa fede.



Lavaggio
Rimozione di polimeri
DESCUM
Pulizia in secco dello strato di maschera rigida
Rimozione della fotoresist dopo l’implantazione ionica
Rimozione dei residui di superficie
Rimozione della fotoresist nel processo BAW/SAW
Pulizia in secco dello strato di film grafico antiriflesso
Pulizia superficiale dopo l'etching
Vantaggi:
Alto grado di ionizzazione e decomposizione del plasma
Dopo il trattamento al plasma, la riproducibilità è elevata
Erosione secca, assenza di fonti di inquinamento
Controllo della pressione e della temperatura tramite valvole a farfalla
Può mantenere il plasma ad alta pressione
Separazione tra la sorgente ad alta tensione e il generatore di ioni
Il giunto a microonde e il circuito magnetico sono compatibili
Può soddisfare i requisiti del cliente
Bassa temperatura durante il processo
Velocità di risposta elevata e tempo di risposta breve



Modello |
MDST3100 |
MDST3200 |
|
Fonte di plasma |
RF |
RF |
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Potenza |
ICP |
1000W
|
1000W
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BIAS |
NA |
NA |
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Campo di applicazione |
4-8 pollici |
4-8 pollici |
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Numero di wafer elaborati in una singola operazione |
1 |
2 |
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Dimensioni complessive |
1300x1190x1847 mm |
1300x1650x1850 mm |
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Controllo del sistema |
Sistema di Controllo Industriale |
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grado di automazione |
Automatico |
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Foto reali dell’attrezzatura :







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