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Attrezzatura CVD per materiali di grafene e nanotubi di carbonio

Descrizione del prodotto

Attrezzatura CVD per materiali di grafene e nanotubi di carbonio

L'attrezzatura è principalmente utilizzata per il processo di rivestimento del grafene e dei materiali nano; Diffusione, ossidazione e annullamento del silicio policristallino e del carburo di silicio.
CVD Equipment for Graphene and Carbon Nanotube Materials / Semiconductor equipment details
Specifiche
stile strutturale
Orizzontale, sistema a singolo tubo o multi-tubo con controllo automatico
Adatto alla dimensione della wafer
2-8″
Metodo di consegna e recupero della wafer
Barca a quarzo a leva automatica con azione push-pull, combinata con il prelievo e il rilascio manuale dei chip.
temperatura massima
1050℃
temperatura di funzionamento
400 ℃~850 ℃ continuamente regolabile
Stabilità della temperatura a un singolo punto
400℃~850℃≤±0.5℃/24h
Vuoto limite del sistema
Migliore di 1Pa
velocità di pompare
Tempo di pompa per raggiungere il vuoto limite < 15Min
Intervallo di pressione di lavoro
da 5Pa a 1 × 105Pa continuamente regolabile
Alimentatore
3 fasi 5 fili 380V±10%, 50Hz
acqua di raffreddamento
2~4Kgf/cm², 8L/min;
Imballaggio e consegna
CVD Equipment for Graphene and Carbon Nanotube Materials / Semiconductor equipment factory
CVD Equipment for Graphene and Carbon Nanotube Materials / Semiconductor equipment details

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