Modello: MDST-3300
Sistema di ashening per wafer
Attrezzatura per la rimozione del photoresist RF su wafer in lotto
L'aspetto dell'attrezzatura è soggetto a continui aggiornamenti e aggiustamenti; il prodotto effettivamente spedito fa fede.
Il MDST-3300 è un sistema di asciugatura al plasma a microonde per processi in lotto, basato su cassette per wafer, progettato per applicazioni quali la rimozione del photoresist, la desquamazione, la pulizia dei wafer, la rimozione dei residui successivi ai processi umidi, la pulizia dei residui sulla superficie dei wafer e la rimozione dei residui post-sviluppo. Elettroni liberamente mobili generano un plasma che agisce sul photoresist presente sulle superfici dei wafer contenuti all'interno della cassetta in quarzo all'interno della camera. Un plasma continuo ad alta densità viene generato applicando energia a microonde a 13,56 MHz alle pareti della camera sotto vuoto. La camera accoglie cassette in quarzo per wafer da 4 a 8 pollici.
Il MDST-2300 fornisce una pulizia al plasma rapida e priva di danni. Il sistema ottiene questo effetto di pulizia mediante reazioni chimiche tra radicali attivati e il photoresist sulla superficie del wafer.



Principio di funzionamento:
Un campo elettrico viene applicato al gas di processo per ionizzarlo in plasma. I componenti "attivi" del plasma includono ioni, elettroni, atomi, radicali liberi, specie nello stato eccitato (stati metastabili) e fotoni. Il trattamento al plasma sfrutta le proprietà di questi componenti attivi per indurre reazioni fisiche e chimiche — come ossidazione, riduzione, scissione di legami, reticolazione e polimerizzazione — modificando così le caratteristiche superficiali del campione. Questo processo ottimizza le prestazioni superficiali e raggiunge obiettivi quali la pulizia, la modifica della superficie e la rimozione di residui.


Vantaggi:
1. Supporti flessibili per prodotti che accolgono wafer di forma irregolare;
2. Plasma a bassa temperatura che previene danni termici ai wafer;
3. Plasma elettricamente neutro che evita danni elettrici ai wafer;
4. Uscita di plasma ad alta efficienza e uniforme garantisce una rimozione efficace del photoresist;
5. Elevato grado di ionizzazione e dissociazione del plasma;
6. Il processo di incisione a secco elimina le fonti di contaminazione;
7. Pressione e temperatura controllate tramite valvola farfalla;
8. In grado di mantenere il plasma ad alte pressioni di gas;
9. Alimentatore ad alta tensione separato dal generatore di ioni;
10. Compatibile con configurazioni a accoppiamento a microonde e a circuito magnetico.



Struttura del prodotto:
Il sistema di trattamento superficiale al plasma comprende principalmente tre parti: camera a vuoto e sistema a vuoto, generatore a radiofrequenza e sistema di controllo.
(A) Camera a vuoto e sistema di generazione del vuoto:
La camera a vuoto è fissata all’interno del telaio dell’armadio, con porte smontabili su entrambi i lati, rendendo estremamente agevole la manutenzione della camera a vuoto interna e del sistema a vuoto. Il sistema di generazione del vuoto è costituito principalmente da tubi corrugati, giunti KF e pompe a vuoto, il cui componente principale è la pompa a vuoto (gruppo pompe a vuoto).
(B) Generatore RF:
Il generatore RF è dotato di un’alimentazione da 1000 W per generare radiofrequenza; l’energia a microonde viene immessa nella camera al quarzo a plasma tramite un dispositivo di adattamento per formare il plasma.
(C) Sistema di controllo:
Questo sistema utilizza schermi industriali per visualizzazione, sistemi di controllo industriale per PC e progettazione dell'interfaccia in cinese. Controllo del processo dell'apparecchiatura: avvio della pompa a vuoto -> apertura della valvola a diaframma -> raggiungimento del grado di vuoto impostato -> introduzione del gas di processo -> generazione di radiofrequenza (RF) da parte della sorgente RF -> immissione dell'energia RF nella camera -> formazione del plasma nella camera -> tempo di lavoro fino alla rottura del vuoto -> completamento del lavoro. L'apparecchiatura è disponibile in due modalità: automatica e manuale.



Specifiche del prodotto:
Unità principale per plasma a vuoto | ||
Dimensioni dell'apparecchiatura |
Lunghezza 1000 mm × Profondità 850 mm × Altezza 1700 mm |
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Requisiti di Potenza |
CA 380 V, 50/60 Hz, 5 fili, 40 A |
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Specifiche del generatore a plasma | ||
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Alimentatore di potenza RF
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Potenza |
0~1000W |
Frequenza |
13,56 MHz |
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Rete di adattamento |
Potenza |
0~1000W |
Frequenza |
13,56 MHz |
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Sistema di vuoto | ||
Pompa a secco |
Pompa a secco |
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Tubazioni per vuoto |
Fisarmoniche pesanti per vuoto |
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Materiale |
Quarzo |
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Dimensioni interne della camera |
354 mm × 508 mm (diametro × profondità) |
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Livello di vuoto |
120 mTorr @ 2 min |
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Numero di wafer processati |
25 pezzi (8 pollici) / 50 pezzi (4 pollici, 6 pollici) |
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Tasso di perdita della camera |
≤10 mTorr |
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Vuoto di base |
≤50 mTorr @ 3 min |
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Gas di processo | ||
Intervallo di flusso |
O2: 1000 sccm Ar: 1000 sccm |
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Linea gas di processo |
(O2, Ar) + 1 linea riservata |
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Sistema di Controllo | ||
Controllo del sistema |
PC |
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Metodo di consegna |
Display touchscreen industriale |
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Rimozione della resistenza fotosensibile |
Osservazione |
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Velocità di degommatura |
≧200 A/min |
Dipende dai campioni specifici del cliente e dalle condizioni di lavorazione. |
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WIW |
SPEC ≦20% |
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WTW |
SPEC ≦20% |
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Lotto per lotto |
SPEC ≦20% |
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