Guangzhou Minder-Hightech Co.,Ltd.

Strona Główna
O Nas
MH Urządzenia
Wideo z przypadku
Rozwiązanie
Użytkownicy Zagraniczni
Skontaktuj Się Z Nami
Strona główna > Wstążka PR RTP USC
  • Suchy plazmowy odtłuszczaacz fotorezystu ICP
  • Suchy plazmowy odtłuszczaacz fotorezystu ICP
  • Suchy plazmowy odtłuszczaacz fotorezystu ICP
  • Suchy plazmowy odtłuszczaacz fotorezystu ICP
  • Suchy plazmowy odtłuszczaacz fotorezystu ICP
  • Suchy plazmowy odtłuszczaacz fotorezystu ICP
  • Suchy plazmowy odtłuszczaacz fotorezystu ICP
  • Suchy plazmowy odtłuszczaacz fotorezystu ICP
  • Suchy plazmowy odtłuszczaacz fotorezystu ICP
  • Suchy plazmowy odtłuszczaacz fotorezystu ICP
  • Suchy plazmowy odtłuszczaacz fotorezystu ICP
  • Suchy plazmowy odtłuszczaacz fotorezystu ICP

Suchy plazmowy odtłuszczaacz fotorezystu ICP

Model: MDST3100 / MDST3200

Suchy plazmowy odtłuszczaacz fotorezystu ICP

Suchy plazmowy odtłuszczaacz fotorezystu ICP służy głównie do usuwania polimerów, popielania, usuwania nadmiaru fotorezystu (descumming), usuwania fotorezystu po implantacji jonowej oraz czyszczenia powierzchni z pozostałości. Komora MDST3100 obsługuje próbki o średnicy od 4 do 8 cali przy przetwarzaniu pojedynczej płytki, natomiast komora MDST3200 obsługuje próbki o średnicy od 4 do 8 cali przy przetwarzaniu dwóch płytek w jednej partii.

Wygląd urządzenia podlega ciągłym ulepszeniom i dostosowaniom; decydujący jest rzeczywisty produkt wysyłany.

头图4.jpg

工艺流程.png(5c78296a74).jpg去除光刻胶 去胶机 (5)(130d03181e).jpg

Zapiekany

Usuwanie polimerów

DESCUM

Suche czyszczenie warstwy masy twardej (hard mask)

Usunięcie fotoopornika po implantacji jonowej

Usuwanie resztek z powierzchni

Usunięcie fotoopornika w procesie BAW/SAW

Suche czyszczenie warstwy antyodbijającej folii graficznej

Czyszczenie powierzchni po etchingu

Zaleta:

Wysoki stopień jonizacji i rozkładu plazmy

Po obróbce plazmą powtarzalność jest wysoka

Suche trawienie, brak źródła zanieczyszczenia

Sterowanie ciśnieniem i temperaturą za pomocą zaworów motylkowych

Możliwość utrzymywania plazmy przy wysokim ciśnieniu

Oddzielenie źródła wysokiego napięcia od generatora jonów

Łącze mikrofalowe i obwód magnetyczny są kompatybilne

Możliwość spełnienia wymagań klienta

Niska temperatura podczas przetwarzania

Szybka prędkość reakcji i krótki czas reakcji

Test data 2.jpgTest data 1.jpgTest data 3.jpg

Model

MDST3100

MDST3200

Źródło plazmy

RF

RF

Moc

ICP

1000 W

 

1000 W

 

BIAS

NA

NA

Zakres zastosowania

4–8 cali

4–8 cali

Liczba płytek krzemowych przetwarzanych w jednej operacji

1

2

Wymiary ogólne

1300×1190×1847 mm

1300×1650×1850 mm

System sterowania

System Sterowania Przemysłowego

stopień automatyzacji

Automatyczna

Rzeczywiste zdjęcia sprzętu

机器水印1.jpg细节2(6119ed3107).jpg工厂水印1.jpg细节1.jpg细节3.jpg细节4.jpg微信图片_20260819121028.jpg

Zapytanie

Zapytanie Email WhatsApp WeChat
Góra
×

SKONTAKTUJ SIĘ Z NAMI