Ძირითადად შესაფერებელია სხვადასხვა ნახსენის მასალებისთვის, როგორიცაა სილიციუმი, გერმანიუმი, სილიციუმის კარბიდი, ცინკის ოქსიდი და ა.შ. სტელთ დაისინგი (Stealth dicing) არის დაისინგის მეთოდი, რომელიც ლაზერულ სხივს ფოკუსირებს სამუშაო ნიმუშის შიგნით რეჟიმირებული ფენის ჩამოყალების მიზნით და ნიმუშს ჩიპებად ყოფს ლეპტოფილმის გაფართოების და სხვა მეთოდების საშუალებით. ეს მეთოდი შესაფერებელია 4-ინჩიან, 6-ინჩიან და 8-ინჩიან ვეფერებისთვის.













Მუშაობის ზომა |
12 ინჩი, 8 ინჩი, 6 ინჩი, 4 ინჩი |
Დამუშავების მეთოდი |
Ჭრის/უკან ჭრის |
Მუშაობის მასალა |
Საფირი、Si、GaN დაอ. ხანგრძლივი მასალები |
Ვაფერის სიღრმე |
100-1000უმ |
Მაქსიმალური დამუშავების სიჩქარე |
1000/s |
Პოზიციონირების ზუსტობა |
1μm |
Განმეორებითი პოზიციონირების სიზუსტე |
1μm |
Გვერდის შეკრულება |
< 5უმ |
Წონა |
2800KG |


Საავტორო უფლება © Guangzhou Minder-Hightech Co.,Ltd. ყველა უფლება დაცულია