Guangzhou Minder-Hightech Co.,Ltd.

Მთავარი გვერდი
Ჩვენ შესახებ
MH Equipment
Გადაწყვეტილება
Საგარეო მომხმარებლები
Ვიდეო
Დაგვიკავშირეთ
Მთავარი> PVD CVD ALD RIE ICP EBEAM
  • Რეაქტიული იონური გამოჭრვა RIE
  • Რეაქტიული იონური გამოჭრვა RIE
  • Რეაქტიული იონური გამოჭრვა RIE
  • Რეაქტიული იონური გამოჭრვა RIE
  • Რეაქტიული იონური გამოჭრვა RIE
  • Რეაქტიული იონური გამოჭრვა RIE
  • Რეაქტიული იონური გამოჭრვა RIE
  • Რეაქტიული იონური გამოჭრვა RIE
  • Რეაქტიული იონური გამოჭრვა RIE
  • Რეაქტიული იონური გამოჭრვა RIE
  • Რეაქტიული იონური გამოჭრვა RIE
  • Რეაქტიული იონური გამოჭრვა RIE

Რეაქტიული იონური გამოჭრვა RIE

Პროდუქტის აღწერა

Რეაქტიული იონური გაჭრივი (RIE)

Რეაქტიული იონური ეტჩინგი (RIE) შეიძლება იყოს გამოყენებული მიკრო-ნანო სტრუქტურების მზადღებისთვის და არის ერთ-ერთი პროცესური ტექნოლოგია სემიკონდუქტორების წარმოებისთვის. RIE ეტჩინგის პროცესში, პლაზმაში მდებარე განადგურების მხარდაჭერი მონაკვეთები ფორმირებენ გარდაქმნილ პროდუქტებს მასალის ზედაპირობასთან ერთად. ეს პროდუქტები ამოღებულია მასალის ზედაპირობიდან, და საბოლოოდ აღიარება ანიზოტროპული მიკროსტრუქტურული ეტჩინგი მასალის ზედაპირობაზე. რეაქტიული იონური ეტჩერი (RIE) სერიის პროდუქტები დაფუძნებულია ფლატ-პლეიტ კაპაციტიურ კაპლიური პლაზმის ტექნოლოგიაზე და შესაბამისია შემორგებული ეტჩინგი სილიკონის მასალებისთვის, როგორიცაა ერთწილიანი სილიკონი, პოლისილიკონი, სილიკონის აზოტი (SiNy), სილიკონის ოქსიდი (SiO), ქვარცი (Quartz) და სილიკონის კარბიდი (SiC); შეიძლება გამოიყენონ ორგანიური მასალების, როგორიცაა ფოტორეზისტი (PR), PMMAHDMS და სხვა მასალების შემორგებული ეტჩინგი და მასალის დე-ლეირინგი; შეიძლება გამოიყენონ ფიზიკური ეტჩინგი მეტალური მასალებისთვის, როგორიცაა ნიკელი (Ni), ქრომი (Cr) და კერამიკული მასალები; შეიძლება გამოიყენონ სათავე ტემპერატურის ინდიუმის ფოსფიდის (InP) მასალის ეტჩინგი. ზოგიერთი ეტჩინგი, რომელიც მაღალი პროცესური მოთხოვნების გამო მოითხოვნენ, ჩვენი ICP RIE ეტჩინგის გამოყენებაც შესაძლებელია.

Ძირითადი კონფიგურაცია:

1. მასალის ზომის მხარე: 4, 8, 12 ინჩი, საშუალებაა დაემთხვეოს განსხვავებული პატარა ზომის მასალები, მხარე პერსონალიზებაც ხელმისაწვდომია;
2. RF პლაზმის ძალის დიაპაზონი: 300/500/1000 W არჩევად;
3. მოლეკულური ქუჩი: 620/1300 l/s არჩევად, არჩევადი ანტიკოროზიული ქუჩის სეტი;
4. წინა ქუჩი: მექანიკური ოილის ქუჩი/სუხი ქუჩი არჩევად;
5. წნევის კონტროლი: 0 ~1 Torr არჩევად; არასაწნევის რეჟიმის კონფიგურაციაც შეიძლება აირჩიოს.
6. პროცესული გაზი: მაქსიმალურად 9 პროცესული გაზი შეიძლება იყოს ეquip-ილი ერთდროულად; ტემპერატურა: 10 გრადუსი ~ ავალი ტემპერატურა/-30 გრადუსი ~ ავალი ტემპერატურა/კუსტომიზებული ტემპერატურის დიაპაზონი,
7. შეიძლება დახუროთ ჰელიუმის გამგზავნა პროგრამის მიხედვით;
8. აღარებადი ანტი-დაბრუნების ჩაფერი;
9. Load-lock არის არჩევანი;
10. სრულად ავტომატური ერთ-ღილაკიანი კონტროლის სისტემა;

RIE გამოყენებადი მასალები:

1. სილიკონ-ბაზირ მასალები: სილიკონი (Si), სილიკონის oksიდი (SiO2), სილიკონის ნიტრიდი (SiNx), სილიკონის კარბიდი (SiC)
2. III-V მასალები: ინდიუმის ფოსფიდი (InP), გალიუმის არსენიდი (GaAs), გალიუმის ნიტრიდი (GaN)
3. II-VI მასალები: კადმიუმის ტელურიდი (CdTe)
4. მაგნიტური მასალები/ალოის მასალები
5. მეტალურგიული მასალები: ალუმინი (AI), გოლდი (Au), ტუნგსტენი (W), ტიტანი (Ti), ტანტალი (Ta)
6. ორგანიული მასალები: ფოტორეზისტი (PR), ორგანიული პოლიმერი (PMMA/HDMS), org

RIE შეკვეცილი აპლიკაციები:

1. სილიკონ-ბაზირ მასალების შეკვეცა, ნანოიმპრინტ მოთხრობები, მასივის მოთხრობები და ლენზის მოთხრობები;
2. ჩანთის ტემპერატურაზე ინდიუმ-ფოსფიდის (InP) შეკვეცა, InP-ბაზირ მოწყობილობების მოთხრობის შეკვეცა ოპტიკურ კომუნიკაციებში, ჩა Gaussian სტრუქტურები, რეზონანსური გამოსავალი სტრუქტურები და რიჯის სტრუქტურები;
3. SiC მასალების ეტჩინგი, რომელიც შესაბამისია მიკროვეფრო მოწყობილობებისთვის, ძალიან მოწყობილობებისთვის და ა.შ.;
4. ფიზიკური სპატერინგის ეტჩინგი გამოიყენება რაღაც მეტალებზე, როგორიცაა ნიკელი (Ni), ქრომი (Cr), კერამიკა და სხვა მასალები, რომლებიც ქიმიურად რთულია ეტჩინგი, და მასალების შემორგებული ეტჩინგი აღწერს ფიზიკური ბომბარდირებით;
5. ორგანიური მასალების ეტჩინგი გამოიყენება ეტჩინგის, გასწრაფებისა და ამოღებისთვის ორგანიური მასალების, როგორიცაა ფოტორეზისტი (Photo Resist), PMMA, HDMS, პოლიმერი;
6. ფულის აღჭურვილობის ეტჩინგი ჩიპის ვადასწრაფების ანალიზისთვის (Failure Analysis-FA);
7. ორგანიური მასალების ეტჩინგი: W, Mo ორგანიური მასალები, გრაფენი;
Აპლიკაციის რეზულტატები:
Პროექტის კონფიგურაცია და მაशინის სტრუქტურული დიაგრამა
Ნივთი
MD150-RIE
MD200-RIE
MD200C-RIE
Პროდუქტის ზომა
≤6 ინჩი
≤8 ინჩი
≤8 ინჩი
RF ძალის წყარო
0-300W/500W/1000W რეგულირება, ავტომატური მისამართები
Მოლეკულარული განსაზღვრებელი
-/620(L/s)/1300(L/s)/Custom
Ანტისეპტიკური 620(L/s)/1300(L/s)/Custom
Წინადადებითი განსაზღვრებელი
Მექანიკური განსაზღვრებელი/სი≧ედი განსაზღვრებელი
Მშრალი ტუმბო
Პროცესის წნევა
Უკонтროლებელი წნევა/0-1Torr კონტროლირებული წნევა
Აირის ტიპი
H/CH4/O2/N2/Ar/SF6/CF4/
CHF3/C4F8/NF3/Custom
(მაქსიმუმ 9 კანალი, გარეშე კოროდირებული და ციხედი გასი)
H2/CH4/O2/N2/Ar/F6/CF4/ CHF3/C4F8/NF3/Cl2/BCl3/HBr(მაქსიმუმ 9 კანალი)
Გაზის დიაპაზონი
0~5sccm/50sccm/100sccm/200sccm/300sccm/500sccm/დამავალი
ᲩატვირთვაLock
Დიახ/არა
Დიახ
Სანიმუშო ტემპერატურის კონტროლი
10°C~საგანთო ტემპერატურა/-30°C~100°C/დამავალი
-30°C~100°C/დამავალი
Უკან ჰელიუმის გამყიდვა
Დიახ/არა
Დიახ
Პროცესური გამოყენების ჩაღერილობა
Დიახ/არა
Დიახ
Გამოყენების სახელმძღვანელოს ტემპერატურის კონტროლი
Არა/საგანთო ტემპერატურა~60/120°C
Საცხოვრებელი ტემპერატურა -60/120°C
Კონტროლის სისტემა
Ავტო/მიზნების მითითებით
Გამოჭრილი მასალა
Სილიციუმ-დაფუძნებული: Si/SiO2/SiNx···
IV-IV: SiC
Მაგნიტური მასალები/ლიგატურის მასალები
Მეტალურგიული მასალა: Ni/Cr/Al/Au.....
Ორგანური მასალა: PR/PMMA/HDMS/ორგანური
ფილმი......
Სილიციუმ-დაფუძნებული: Si/SiO2/SiNx......
III-V (შენიშვნა 3): InP/GaAs/GaN......
IV-IV: SiC
II-VI (შენიშვნა 3): CdTe......
Მაგნიტური მასალები/ლიგატურის მასალები
Მეტალურგიული მასალა: Ni/Cr/A1/Au......
Ორგანიული მასალა: PR/PMMA/HDMS/ორგანიული ფილმი...
Რეალური ფოტოგრაფიები ლაბორატორიებში და ქარხნებში
Შეფუთვა და მიწოდება
Კომპანიის პროფილი
Minder-Hightech არის გაყიდვისა და სერვისის წარმომადგენელი სემიკონდუქტორული და ელექტრონული პროდუქციის ინდუსტრიაში. 2014-დან, კომპანია წარმოადგენს გამოსავალ კლიენტებს სუპერიორულ, დამაჯერებელ და ერთ-შეკი გამართვას მაशინების ინსტრუმენტებისთვის.
Ხელიკრული
1. ფასის შესახებ:
Ყველა ჩვენს ფასები არის კონკურენტული და განსაზღვრაველი. ფასი ვარიაცია მოწყობილობის და თქვენი აპარატის კონფიგურაციის და პერსონალიზაციის სირთულის მიხედვით.

2. სამაგალითო შესახებ:
Შეგვიძლია გთავაზოთ სამაგალითო წარმოების სერვისი, მაგრამ შეგიძლიათ გადახდეთ რამდენიმე საკონტროლო განახლება.

3. გადახდის შესახებ:
Გეგმის დადასტურების შემდეგ, თქვენ უნდა გვიხსნით ავანსი ჯერ და ფაბრიკა დაიწყოს ტоварების მზადება. აღარის მზად და თქვენ გადახდეთ ბალანსი, ჩვენ გამოვაგზავნით მანქანას.

4. მოწოდების შესახებ:
Მანქანის წარმოება დასრულების შემდეგ, ჩვენ გაგზავნით გეგმის ვიდეო და თქვენ შეგიძლიათ მოიდეთ ადგილზე მანქანის შემოწმებისთვის.

5. ინსტალაცია და დებაგირება:
Მანქანის მისაღება თქვენს ფაბრიკაში, ჩვენ შეგვიძლიათ გაგზავნათ ინჟინერები მანქანის მონტაჟისა და დებაგინგისთვის. ეს სერვისის განახლება გეგმავს განახლების განახლება.

6. გარანტიის შესახებ:
Ჩვენ მაქნილები 12-მათიანი გარანტიის პერიოდი ჰქონდება. გარანტიის პერიოდის შემდეგ, თუ ნებისმიერი ნაწილები დაზიანდებული იქნება და ჩანაცვლება საჭიროა, მы მხოლოდ ღირებულების ფასს დავიწვებთ.

Ინკვირი

Ინკვირი Email Whatsapp Top
×

Დაკავშირდით