Გუანგზოუ Minder-Hightech Co., Ltd.
EN
Გუანგზოუ Minder-Hightech Co., Ltd.
ПОЛУЧИТЬ ЦЕНУ

Გუანგზოუ Minder-Hightech Co., Ltd.

Საწყისი გვერდი
Ჩვენ შესახებ
MH აპარატურა
Გამოყენება
Სხვა ქალაქის მომხმარებლები
Ვიდეო
Დააკონტაქტეთ ჩვენ
Მთავარი> Ლაბორატორიული სემიკონდუქტორული აპარატურა
  • Სპექტროსკოპიური ელიფსომეტრი
  • Სპექტროსკოპიური ელიფსომეტრი
  • Სპექტროსკოპიური ელიფსომეტრი
  • Სპექტროსკოპიური ელიფსომეტრი
  • Სპექტროსკოპიური ელიფსომეტრი
  • Სპექტროსკოპიური ელიფსომეტრი
  • Სპექტროსკოპიური ელიფსომეტრი
  • Სპექტროსკოპიური ელიფსომეტრი
  • Სპექტროსკოპიური ელიფსომეტრი
  • Სპექტროსკოპიური ელიფსომეტრი

Სპექტროსკოპიური ელიფსომეტრი

Მიიღეთ უფასო შემოთავაზება
Პროდუქტის აღწერა

Სპექტროსკოპიური ელიფსომეტრი

Სპექტრალური ელიფსომეტრი შეძლებს სწრაფ და მრავალწერტილიან ავტომატურ ტესტირებას, ასევე შეძლებს ნიმუშის ერთგვაროვნების შემოწმებას ერთი კლიკით. პროდუქტის პოლარიზატორი, ანალიზატორი და კომპენსატორი ყველა აღჭურვილია აბსოლუტური კოდირების მაღალი სიზუსტის პოზიციის დაბლოკვის მოწყობილობებით, რომლებსაც აქვთ სიჩქარის კომპენსაციის ფუნქცია, რაც ამატებს სისტემის სიზუსტეს და სტაბილურობას.
Გამოიყენება ორმაგი ბოჭკოს არქიტექტურა სინათლის შეგროვების ეფექტურობის გასაძლიერებლად; ამ მეთოდით შესაძლებელია საკმარისი სპექტრების შეგროვება მოჭრილი მჟავიანი პოლირების ზედაპირებიდან ან ჩვეულებრივი პირამიდული წინა მხარეებიდან ტესტირებისა და ანალიზის მიზნით. ასევე აქვს ძირითადი ფუნქციები, როგორიცაა ავტოფოკუსირება, სინათლის ინტენსივობის არჩევა და ფაზის კომპენსაცია.

Დამზადებულია მასალების ოპტიკური თვის Gaussian და მასშტაბის ანალიზისთვის მაღალ სიზუსტესა და მაღალი ეფექტიურობის გარეშე. ის შეიძლება ავტომატურად, სწრაფად და სიზუსტით გაზომავდეს მასალების გამრავლების ინდექსს, გახარის კოეფიციენტს და ფილმის სი厚厚. ის შესაბამისია ნაკვეთის და მასალების აღწერის საჭიროებისთვის მეცნიერებრივ კვლევაში, სემიკონდუქტორებში, ფოტოვოლტაიკურად, ოპტიკურ დაფარებებში, ეკრანების პანელებში და სხვა სფეროებში.

Мера აბიჯი:

Ოპტიკური დამალვა: Si02, Si3N4, SnO2, Nb205,Ti02, Ta205, A2O3, MgF2,Pi.
Ეკრანი: OLED(AIG3, PCBM, NPB, NPD...), ელექტროდები(ITO, PEDOT, MgO, Ag, Al, Mg...) ...
Ფოტოვოლტაიკური: Si, Poly-Si, SiNx, CdS, CIGS, CdTe, PFN-Br, ABX3, PEDOT:PSS, PTB7-Th:PC71BM.
Სემიკონდუქტორი: ფოტორეზისტი, ZnO, SiON, SiC, SiGe, GaN, AIN, InP, GaAs, AlxGa(1-x)N
Სხვა: OCD, 2-განზომილებიანი მასალები, Van der Waals ჰეტეროჯუნქცია და მოწყობილობა...

Პროდუქტის ფუნქციя:

Გამრავლების ინდექსის ზომის: ზუსტად ზომავენ მასალების გამრავლების ინდექსს განსხვავებულ სიგრძეებში, რათა მიწოდოს გარკვეული მონაცემები ოპტიკური დიზაინისა და მასალების კვლევისთვის.
Გასაშლელი კოეფიციენტის ზომის: ანალიზირეთ მასალების სინათლის აბსორბციის მახასიათებლები, რათა გაუმჯობეს ფოტონელექტრონული მოწყობილობების მუშაობა.
Ფილმის სიგანეს ზომვა: ხშირად მხარდაჭერს ნანომეტრულ მდგომარეობამდე ფილმების სიგანის განახლებას მაღალ გარკვეულებითა და კარგი განმეორებადობით.
Სწრაფი ავტომატური ტესტი: მრავალპუნქტული ავტომატური სკანირების ფუნქციით, ზომის სიჩქარე 1 წამი/პუნქტია, რაც ძალიან გააუმჯობეს მასიური ტესტირების ეფექტივობა.

Ზომის პრინციპი:

Ელიფსომეტრიის ზომის პრინციპი დაყრდნობით არის სამართალი პოლარიზაციის მდგომარეობის ცვლილებაზე საშუალოდ მედიუმის ზედაპირობაზე და მის შემდეგ, რათა მიიღოს სამართალი თვისებები და სტრუქტურული ინფორმაცია.
Შემოსვლის სავარაუდო ველი განაწილებულია ორ მრავალკუთხედში, p სინათლი პარალელურია სინათლის ვიბრაციისთვის.
ტანის გავლენა, ს სითხი პერპენდიკულარულია სითხის ტანის ვიბრაციისთვის. P და S სითხის ამპლიტუდები და ფაზები იცვლებია, როდესაც სითხი განაგებულია მედიუმის ზედაპირიდან.
Ფიზიკური მახასიათებლების შორის კორელაცია და პოლარიზაციის მდგომარეობის ცვლილება.

Ინსტრუმენტის მუშაობის გარემო：

Ძალა：220VAC+10%
Ოთხობის ტემპერატურა：გარემოს ტემპერატურა(10-30)℃
Საპირიქო ტენისტები: (20-80)%RH

Სპექტრომეტრი:

Გამოკვლენის ერთეული: 2048 პიქსელიანი სწრაფი შენარჩუნებითი CCD დეტექტორი
Დეტალური პარამეტრები:
1. სპექტრის დიაპაზონი უკეთესია 350nm-1000nm
2. გამოვიდანი სინათლე<0.02%@400nm
3. შეფარდება სიგნალ-შუმ 4800
4. დინამიკური დიაპაზონი 50000:1
5. ჰოლოგრაფიული სინათლის გზა
6. ციფრული რეზოლუცია 16-ბიტი
7. წაკითხვის სიჩქარე >400kHz
8. მონაცემთა გადაცემის სიჩქარე 600MB/s
9. მინიმალური ინტეგრაციის დრო/გამოსახულების ნაბიჯი 6 μs/1μs
10. გარე ტრიგერის დელაი 95нс+/–20нс
11. კომპიუტერული ინტერფეისი USB4.1C/2.0
12. მოქმედი სისტემა Win 7/8/Win 10
საშუალო QE UV ზონაში ბაქ-ილუმინირებული CCD, საშუალო QE ≥75% გამყარი სისტემა micro TE გამყარება, გამყარების შემდეგ ტემპერატურა 30°C
ქვეშ გარეთ ტემპერატურის.
Ინტეგრაციის მეთოდი: პროგრამული კონტროლი ავტომატური ინტეგრაციის დროის დაყენება, შესაძლებელია საუკეთესო

Სანათლებო სისტემა:

Საშუალო წყარო - ჰალოგენის ლამპა ქვარცის ბულბით, სიდიდის დიაპაზონი 350ნმ-2000ნმ, გარკვეული ხელმძღვანელობის გარეშე გარკვეული დრო, რომელიც აღემატება 50000 საათს.
Ძალის მთავარი მოწყობილობა ჰალოგენის ლამპისთვის, ვოლტაჟი 4.9vd

Სტაჟი ავტომატური ფოკუსირების ფუნქციით:

Გადაადგილეთ ნიმუში საუკეთესო ზომვის პოზიციაზე ავტომატური ფოკუსირების ფუნქციით. განსაზღვრული მარშრუტი: 100მმ
Ზუსტება: 0.0005მმ. ადგილის შეზღუდვა პოზიტიური და ნეგატიური ლიმიტით და ნულოვანი პოზიციის სენსორით; ავტოფოკუსის ფუნქციის საწყისი პოზიცია, საბოლოო პოზიცია და ნაბიჯი შეიძლება განსაზღვროთ პროგრამულ უზრუნველყოფის საშუალებით გაუსის რეგრესიის მეთოდით; განსაზღვრეთ მითითებული ინტეგრაციის დრო და აგრეგირეთ ინტენსივობა Focus მეთოდის გამოყენებით
Პროდუქტის სტრუქტურა
Სპეციფიკაცია
Ოპტიკური სისტემა:
Შემოსვლის კუთხე
65°
Სანაგრძი გადახრა
< 0.3°
Ზომვის პარამეტრები
Psi&Del, TanPsi&CosDel, Alpha&Beta
Პოლარიზატორები
Glan-Thompson
Მასალა
a-BBO
Კომპენსატორი
რაბიტის ფაზური დელაი, ჰიპერ ახრომატიკური
Ინტენსივობის შერჩევა
Ლინეარული ოპტიკური სიმღერის შერჩევის ელემენტი. გარანტირებს კარგ სიგნალ-შუმის გარეშე მეასირების პროცესში, აéliს მონაცემთა ზუსტობას,
აVOIDs სინათლის ინტენსივობის სატურაცია ან ძალიან დაბალი ინტენსივობა, რაც შემცირებს სიგნალ-შუმის გარეშე და ზუსტობას
Ოპტიკური დიზაინი
ორმაგი ფიბრი გადააქვს სპექტრომეტრში ლუმინესცენციის სინათლეს პოლარიზაციის ელემენტების მეშვეობით; სტაბილური სინათლის გზა, სახელმწიფოდ შეცვლადი ლამპები
Ბოჭკო
ანტი-UV პასივაცია; NA=0.22; წვიმის დიამეტრი 600μm
Მიკრო სინათლის სპოტი
დიამეტრი ≤200μm, განსხვავება საჭირო სინათლეს წინა ზედიდან და უნადირე სინათლეს ქვედა ზედიდან
მარტივი დაშლა
Ხვრელი
1 50მკმ, სანამ განსხვავდეთ წინადადებით გამოსახული სასარგებლო სინათლისა და ქვედა გზიდან გამოსახული უსასრულო სინათლის შორის
ზედაპირი
Ძირითადი პარამეტრების არჩევის ცხრილი:
Სპექტრალური დიაპაზონი
350-1000ნმ
C
Ხილული
210-1000ნმ
UC
UV-.VISIBLE
210-1700ნმ
Უ-
UV-VISIBLE-NIR
Ოპტიკური კომპენსატორი
RC
Ერთი კომპენსატორი
RC2
C2
Ორი კომპენსატორი
Სპექტრალური დიაპაზონი
X-Y
Მ
Დიდი გადასვლა მაღლა 230mm
X-R
Რ
Დიამეტრი 300mm-მდე
Გაყოფა და მიწოდება
Ხშირად დასმული კითხვები
1. ფასის შესახებ:
Ყველა ჩვენს ფასები არის კონკურენტული და განსაზღვრაველი. ფასი ვარიაცია მოწყობილობის და თქვენი აპარატის კონფიგურაციის და პერსონალიზაციის სირთულის მიხედვით.

2. სამაგალითო შესახებ:
Შეგვიძლია გთავაზოთ სამაგალითო წარმოების სერვისი, მაგრამ შეგიძლიათ გადახდეთ რამდენიმე საკონტროლო განახლება.

3. გადახდის შესახებ:
Გეგმის დადასტურების შემდეგ, თქვენ უნდა გვიხსნით ავანსი ჯერ და ფაბრიკა დაიწყოს ტоварების მზადება. აღარის მზად და თქვენ გადახდეთ ბალანსი, ჩვენ გამოვაგზავნით მანქანას.

4. მოწოდების შესახებ:
Მანქანის წარმოება დასრულების შემდეგ, ჩვენ გაგზავნით გეგმის ვიდეო და თქვენ შეგიძლიათ მოიდეთ ადგილზე მანქანის შემოწმებისთვის.

5. ინსტალაცია და დებაგირება:
Მანქანის მისაღება თქვენს ფაბრიკაში, ჩვენ შეგვიძლიათ გაგზავნათ ინჟინერები მანქანის მონტაჟისა და დებაგინგისთვის. ეს სერვისის განახლება გეგმავს განახლების განახლება.

6. გარანტიის შესახებ:
Ჩვენ მაქნილები 12-მათიანი გარანტიის პერიოდი ჰქონდება. გარანტიის პერიოდის შემდეგ, თუ ნებისმიერი ნაწილები დაზიანდებული იქნება და ჩანაცვლება საჭიროა, მы მხოლოდ ღირებულების ფასს დავიწვებთ.

Მეტი პროდუქტი

Მოთხოვნა

Საავტორო უფლება © Guangzhou Minder-Hightech Co.,Ltd. ყველა უფლება დაცულია

Კონფიდენციალურობის პოლიტიკა

Მოთხოვნა Email Ვეიჩატი WeChat
Უმაღლესი
×

Დაგვიკავშირდით