Ნივთი |
MD150-RIE |
MD200-RIE |
MD200C-RIE |
||
Პროდუქტის ზომა |
≤6 ინჩი |
≤8 ინჩი |
≤8 ინჩი |
||
RF ძალის წყარო |
0-300W/500W/1000W რეგულირება, ავტომატური მისამართები |
||||
Მოლეკულარული განსაზღვრებელი |
-/620(L/s)/1300(L/s)/Custom |
Ანტისეპტიკური 620(L/s)/1300(L/s)/Custom |
|||
Წინადადებითი განსაზღვრებელი |
Მექანიკური განსაზღვრებელი/სი≧ედი განსაზღვრებელი |
Მშრალი ტუმბო |
|||
Პროცესის წნევა |
Უკонтროლებელი წნევა/0-1Torr კონტროლირებული წნევა |
||||
Აირის ტიპი |
H/CH4/O2/N2/Ar/SF6/CF4/ CHF3/C4F8/NF3/Custom (მაქსიმუმ 9 კანალი, გარეშე კოროდირებული და ციხედი გასი) |
H2/CH4/O2/N2/Ar/F6/CF4/ CHF3/C4F8/NF3/Cl2/BCl3/HBr(მაქსიმუმ 9 კანალი) |
|||
Გაზის დიაპაზონი |
0~5sccm/50sccm/100sccm/200sccm/300sccm/500sccm/დამავალი |
||||
ᲩატვირთვაLock |
Დიახ/არა |
Დიახ |
|||
Სანიმუშო ტემპერატურის კონტროლი |
10°C~საგანთო ტემპერატურა/-30°C~100°C/დამავალი |
-30°C~100°C/დამავალი |
|||
Უკან ჰელიუმის გამყიდვა |
Დიახ/არა |
Დიახ |
|||
Პროცესური გამოყენების ჩაღერილობა |
Დიახ/არა |
Დიახ |
|||
Გამოყენების სახელმძღვანელოს ტემპერატურის კონტროლი |
Არა/საგანთო ტემპერატურა~60/120°C |
Საცხოვრებელი ტემპერატურა -60/120°C |
|||
Კონტროლის სისტემა |
Ავტო/მიზნების მითითებით |
||||
Გამოჭრილი მასალა |
Სილიციუმ-დაფუძნებული: Si/SiO2/SiNx··· IV-IV: SiC Მაგნიტური მასალები/ლიგატურის მასალები Მეტალურგიული მასალა: Ni/Cr/Al/Au..... Ორგანური მასალა: PR/PMMA/HDMS/ორგანური ფილმი...... |
Სილიციუმ-დაფუძნებული: Si/SiO2/SiNx...... III-V (შენიშვნა 3): InP/GaAs/GaN...... IV-IV: SiC II-VI (შენიშვნა 3): CdTe...... Მაგნიტური მასალები/ლიგატურის მასალები Მეტალურგიული მასალა: Ni/Cr/A1/Au...... Ორგანიული მასალა: PR/PMMA/HDMS/ორგანიული ფილმი... |
Ის გამოიყენება რთულად ჩაჭრებადი მასალების ჩაჭრვაში, როგორიცაა ზოგიერთი მეტალი (როგორიცაა Ni/Cr) და კერამიკა, და მასალების გაჭრვა ხდება ფიზიკური ბომბარდირების გამო. |
Იყენება ფოტორეზისტის (PR) / PMMA / HDMS / პოლიმერის მსგავსი ორგანიური საკომპონენტოების გამორთვისა და წაშლისთვის |
Copyright © Guangzhou Minder-Hightech Co.,Ltd. All Rights Reserved